电平转换针对的是两个或者两个以上的CPU之间的通讯需要进行的一种转换技术，两个CPU如果供电电压不一样，比如一个是1.2V，另一个是3.3V，那么在电平不匹配的情况下工作，会造成信号传输出错；如果二者电压相差较大，严重的可能会损坏芯片。今天给大家介绍如何用一颗三极管实现的电平转换。方案一如图其中IN为低压系统，OUT为高压系统，以3.3V和5V举例，当IN端为3.3V高电平时，Q2三极管Ube电压差小于0.7V，Ub当IN端为0V低电平时，Q2三极管Ube电压差大于0.7V，Ub>Uc，Q2三极管导通，OUT端电压等于IN端，也为0V；由此实现3.3V至5V的电平转换。当然，我们也可以将三极管
一、问题来源在观看清华大学华成英老师模拟电子技术基础课中，三极管的饱和区是一笔带过，对应的课本教材也没有做充分的解释说明，对于初学者在概念和三极管微观上的理解不是很友好。二、问题点1、三极管的饱和区，饱和指的是什么？三、问题分析首先说下结论：教材上和老师说的，饱和区状态发射结正偏，集电极正偏。饱和过程问题导致很多人理解不了。饱和状态到底是什么饱和？怎么样是饱和的？饱和的微观过程是什么？我们以NPN型共射极放大电路为例说明这个状态 在谈论三极管饱和的时候，不能离开负载电阻。以上图为例，，随着增大，减小，当已经很难继续增大，就说这个状态为饱和状态。当然，如果继续增大，会使再减小，例如降到0.3V（
文章目录前言一、三极管输入/输出特性曲线1.输入特性曲线2.输出特性曲线二、三极管稳压电路及原理解析1.三极管串联稳压电路2.稳压原理解析总结参考前言这段时间在工作中接触到了基于三极管、稳压二极管实现降压稳压的电路。在熟悉电路和阅读文章的时候，发现不少文章对于三极管线性稳压电路的原理介绍得不太详细、不太正确的问题。本文首先介绍了三极管的输入/输出特性曲线，并在此基础之上利用Multisim搭建了三极管稳压电路，最后对所搭建的稳压电路进行了原理解析。一、三极管输入/输出特性曲线1.输入特性曲线当三极管共射极连接，集电极与发射极之间的电压UCEU_{CE}UCE维持在不同的电压时，反映UBEU_
直流电机简介直流电机，即通上直流电，就可以旋转的电动机。由于电机的线圈绕组会频繁的换向，换向碳刷或铜片与线圈接触处会有火花，这种电机工作起来会有较大的电磁干扰，对电源来说，也会带来尖峰毛刺。三极管驱动电路有人会说了，为啥不用MOS管或IC驱动？这篇文章是讲三极管的，当然就用三极管了嘛。电机参数：12V0.1A三极管选型背景知识这里有2个背景知识，知识1：直流电机工作的时候，尖峰脉冲会有3-5倍电源电压的的尖峰脉冲，如果电源内阻比较大，那么这个电压就会更大程度的影响电源的供电。当然我们会有一些办法来削减这个尖峰，但三极管的耐压绝对不能仅仅是略大于12V，而是要2到3倍于这个值才会比较可靠。知识2
D9741是一块脉宽调制方三用于也收路像机和笔记本电的等设备上的直流转换器。在便携式的仪器设备上。主要特点：●高精度基准电路 ●定时闩锁、短路保护电路 ●低电压输入时误操作保护电路 ●输出基准电压(2.5V) ●超过工作范围能进行自动校正 ●封装形式:SOP16应用：●电视摄像机 ●笔记本电脑
一、什么是稳压二极管稳压二极管（Zenerdiode），也叫齐纳二极管。从名字上可以看出，首先它是二极管，它的作用是稳压，利用的原理是齐纳击穿。在TVS二极管那边文章中讲过雪崩击穿，雪崩击穿是发生在掺杂浓度较低的PN结中；而齐纳击穿是发生在掺杂浓度较高的PN结中。PN结的掺杂浓度越高，阻挡层就越薄(这个阻挡层可以理解成PN结附近的耗尽层，耗尽层里面电荷形成的电场阻碍电子的移动),这个阻挡层很薄，那只要在里面继续注入电荷，那内部的电场就会变得很大，这个电场大到可以把耗尽层中的共价键中的电子直接拉出来，从而产生大量的载流子。使PN结的反向电流暴增，呈现反向击穿现象。这与雪崩击穿的根本不同就是，雪崩
系列文章目录本系列文章是我在学习电路基础知识过程中顺道记录下一些重点，感觉比较新颖，遂记之。本文为基础元件学习中的一部分基础元件学习——元器件学习内容了解基础元件学习——电阻元件知识（一）基础元件学习——电阻元件知识（二）基础元件学习——敏感电阻知识基础元件学习——可变电阻及其应用基础元件学习——电容器知识基础元件学习——电容器及其应用（重要）基础元件学习——电感知识及应用基础元件学习——变压器知识及应用基础元件学习——LC和LR电路基础元件学习——二极管知识及其应用基础元件学习——发光二极管知识基础元件学习——其他类型二极管基础元件学习——三极管知识文章目录系列文章目录前言一、三极管基础知识
题目解析： 让发光二极管以1HZ闪烁，周期为频率的倒数，也就是发光二极管以1s为周期闪烁。闪0.5s，灭0.5s。 思路解析: 1、选择一个发光二极管体现实验现象。 2、要用到定时器，肯定要写定时器初始化函数和中断服务函数，定时器初始化函数要配置相关寄存器和参数，定时器中断服务函数描述中断具体执行的任务。 定时器初始化函数： 主要配置寄存器有：TCON、TMOD、高八位寄存器（定时器0:TH0；定时器1:TH1）、低八位寄存器（定时器0:TL0；定时器1:TL1）。TMOD不同的是TMOD寄存器不可位寻址，因此对TMOD的配置需要对这个8bit寄存器
目录MOS管种类MOS管结构和工作原理NMOS管增强型结构NMOS管增强型工作原理 阈值电压VTN和截止区可变电阻区 恒流区形成I-V特性曲线及特性方程总结NMOS耗尽型 与NMOS增强型区别I-V特性曲线及特性方程总结PMOS增强型 与NMOS增强型区别I-V特性曲线及特性方程PMOS耗尽型 与PMOS增强型区别MOS管符号 增强型和耗尽型区分PMOS和NMOS区分g，s，d如何区分MOS管种类MOS管从导电载流子来看，有N沟道的MOSFET和P沟道的MOSFET，常称为NMOS管和PMOS管。而按照导电沟道形成机理不同，它们又各自分为增强型E型和耗尽型D型两种。因此MOS管有四种：增强型P
一、MOS管 在实际生活要控制点亮一个灯，例如家里的照明能，灯和电源之间就需要一个开关需要人为的打开和关闭。 再设计电路板时，如果要使用MCU来控制一个灯的开关，通常会用mos管或是三极管来做这个开关元件。这样就可以通过MCU的信号来控制这个灯的开关和开关时间。 灯只是一个示意，实际使用时可以替换为电机或是水泵等等。1.1、NMOS NMOS可以成是一个由电压控制的电阻.。电压指的是G、S两端的电压差，电阻指的是D、S之间的电阻值。这个电阻值的大小会随着G、S之间的电压差变化。 D、S之间的电阻值与是G、S两端的电压差，并非是一个线性的关
