众所周知，不能生产高端芯片，一直都是我国芯片产业一个无法抹去的痛。加上老美近几年的刻意打压，部分中芯企更是苦不堪言，因此大部分人心里也都憋着一口气，这几年也是铆足了劲，大力推动国产芯片技术的发展。所幸，在国家的大力扶持，和中芯企业的共同努力下，近段时间我国在高端芯片制造领域，也是迎来了不小的突破。先是哈工大的胡鹏程教授团队，研发出了“高速超精密激光干涉仪”，获得了国内首届“金燧奖”。另一个则是国内某芯片企，研发出了SAQP技术，称该技术可以在不需要EUV光刻机的前提的下，达到7nm工艺。原本听到这些消息，笔者是很开心的，毕竟这是属于我们的技术突破，虽然还没有走在世界前列，但起码在不断拉进与美西

外媒报道指早已退休的台积电前研发副总林本坚接受采访的时候表示，美国无法阻止中国研发先进工艺，还认为中国可以利用现有设备研发更先进的5纳米工艺，他的表态让外媒相当吃惊。林本坚如此说法在中国的华为研发出相当于7纳米工艺的麒麟9000S之后，他认为中国芯片行业展现了显著的韧性和独创性，因此认为中国芯片行业不会局限于7纳米工艺，更可能实现5纳米工艺。林本坚被誉为浸润式光刻机之父，当年日本垄断了光刻机行业，佳能、尼康合计占光刻机市场近八成的市场份额，不过这两家日本企业研发的光刻机为干式光刻机，林本坚则提出了浸润式光刻机。日本光刻机企业基于自己的利益并不认同林本坚的浸润式光刻机技术，当时陷入困境的ASML

日前日本芯片设备企业佳能发布了5纳米压印技术，这项技术可以大幅降低芯片生产难度和成本，对于光刻机龙头ASML无疑是重锤打击，意味着ASML的光刻机价值大跌。在芯片制造行业，能与ASML比肩的仅有佳能和尼康，ASML研发了浸润式的DUV光刻机，后来又联合美国研发EUV光刻机，由此奠定了它的龙头地位，占有光刻机市场近六成的市场份额。尼康延续了ASML的技术路线，但是只是研发成功浸润式光刻机；佳能走了另外一条路，将电路图如印章那样压印在晶圆上，再通过刻蚀机将电路图刻蚀出来就能得到芯片，此前佳能已实现10纳米压印技术并被日本铠侠采用，证明了这项技术的可行性，如今它发布5纳米压印技术，再次取得重大突破。

日前媒体纷纷传言清华研发成功EUV光刻机，这个其实夸大了事实，不过却也确实是EUV光刻机的重大突破，将绕开ASML等西方垄断的EUV光刻技术路线，开辟一条全新的道路。据了解清华研发成功的并非是EUV光刻机，而是可用于EUV光刻机的光源，这被称为SSMB（稳态微聚束加速器光源），据了解清华大学负责该项技术研发的唐传祥教授也明确指出“SSMB光源的潜在应用之一是作为未来EUV光刻机的光源”。EUV光刻机是研发5纳米乃至更先进工艺的必需设备，目前台积电、Intel、三星量产的5纳米、3纳米工艺都需要EUV光刻机，7纳米工艺固然也可用DUV光刻机但是却导致性能不够7纳米EUV工艺强，而且良率偏低、成本

随着中国一家手机企业发布5G手机，证明中国芯片制造自研先进光刻机取得成功，ASML率先跟进--表示已获得许可对中国出售更先进的2000i光刻机，日前再有消息传出，曾紧跟美国脚步的日本光刻机企业尼康也在考虑重新对中国出口光刻机。一、光刻机的客户有限全球采购光刻机的企业其实相当有限，尤其是目前全球芯片供给过剩的情况下，导致光刻机的三大客户台积电、三星、Intel都放缓采购光刻机的脚步。市调机构trendForce公布的二季度全球芯片代工企业排名的数据显示前十大芯片代工企业的营收都在下滑，连台积电都未能例外。台积电其实在去年底就已传出关闭部分EUV光刻机以缩减产能的消息，如今业绩出现较大幅度的下滑，

9月9日消息，光刻机巨头ASML喊话，出口管制不是可行做法，应该对中国厂商保持放开。ASMLCEOPeterWennink接受荷兰媒体采访时表示，通过出口管制完全孤立中国厂商并不是一个可行的做法。华为Mate60Pro中的芯片实现突破就间接说明了这一点，这些限制实际上正在推动中国科技加倍努力创新。ASML通过制造能够生产世界上最先进芯片的光刻机设备，在这场芯片争夺战中发挥着举足轻重的作用。在这之前，美国半导体行业总裁也喊话，没有一个国家可以扭转芯片供应链，半导体行业需要中国。中国是我们供应链的一个重要组成部分，同时也是我们非常大的客户群。如果一个国家试图凭一己之力扭转整个供应链，其成本将高得令

随着制程工艺的进步，DRAM内存芯片也面临着CPU/GPU一样的微缩难题，解决办法就是上EUV光刻机，但是设备实在太贵，现在还要榨干DUV工艺最后一滴，DDR5内存有望实现单条1TB。作为第一家推出24Gb核心DDR5的内存公司，美光日前又创造了一个新纪录——推出了32Gb核心的DDR5内存颗粒，使用的是比前者1α工艺更先进的1β工艺，这也是美光最后的非EUV工艺了，再往后不想上EUV也没招了。美光没有透露32Gb核心内存颗粒的具体速度，但是这种内存最大的优势就是可以堆栈出单条1TB的内存条，只需要32个8-Hi堆栈即可，现在的24Gb核心还做不到这么大容量。当然，美光实际上并不会推出这么大的

中国在芯片制造领域一直在追赶先进的技术，虽然在一些关键技术方面还存在一定差距，但近年来中国在光刻机领域取得了一些进展，下面将详细介绍中国目前最先进的光刻机是多少纳米。什么是光刻机？光刻机是集成电路制造过程中的核心工具之一，它使用特定波长的光线将芯片上的图形投影到硅片上，从而进行微细加工。其分辨率是影响芯片制造工艺的一个重要参数。光刻机的分辨率越高，制造出的芯片就越精细，性能也越好。目前世界上最先进的光刻机是ASML公司生产的EUV（极紫外）光刻机，采用的是13.5纳米波长的光源，其分辨率已达到了7纳米。EUV光刻机是目前半导体工业制造7纳米以上芯片的必备设备。然而，由于其技术难度极高，价格昂贵

7月1日消息，昨天有消息称，ASML旗下所有的DUV光刻机，出口都要被经过认可才可以。对于这样的说法，也是引起了热议，不过ASML给出了回应。ASML表示，出口管制条例只涉及部分最新DUV型号，包括TWINSCANNXT：2000i及后续推出的浸润式光刻系统。EUV光刻机在此前已经受到限制，其他系统的发运未受管控。此外，ASML还表示，上述规定是在9月1日才生效，而他们已经提交了许可申请。所以，在上述时间之前发货的DUV光刻机或不受影响，此前业内猜测的TWINSCANNXT:1980Di也不受影响。在这之前，光刻机大厂ASML高管对外表示，半导体业只有通力合作，建立完全自主的产业链，即使并非不

众所周知，光刻机是制造高精度芯片的关键步骤。随着科技的不断进步，光刻机的精度和速度也在不断提高，使得我们可以制造出更小更精细的芯片，满足了人们对于高性能电子设备的需求。我国的光刻机技术，国产大飞机，国产软件，国产发动机等，都是“大器晚成”的。起步很晚，但是发展很快。一直以来，我们都认为中国的光刻机技术与国外技术存在很大的差异。所以，光刻机技术稍微有任何的一点风吹草动，就会牵扯14亿国人的心。虽然，我们这几年在高精度的光刻机上一直有着不小的突破，但是距离商业化的应用还是有很长的路要走。归根结底，就如同国产大飞机一样，核心的零部件和材料都完全依赖进口，研发成本高居高不下，缺少这方面有足够经验的人才