当今电子PCBA硬件终端客户对包工包料的需求日益强烈，传统PCBA厂家由于供应能力弱、价格无优势、货源不稳定、人工效率低，导致转化率低，面临客户越来越少、利润越来越薄的困扰。制造终端工厂在选择PCBA代工代料过程中，又面临难以确认物料的真实性、PCB采购周期不稳定、电子元器件失效、维修困难、资金风险等难题，IC类和陶瓷电容（MLCC）类失效是目前PCBA制程中导致PCBA失效的几个重要原因。那么在PCBA装焊过程中出现的MLCC失效问题，该如何解决及检测？从优化生产工艺和设计改进着手，最终实现MLCC的高可靠性装焊和PCBA的各种制程？关于MLCC失效原因分析及改善措施：失效的根本原因是MLC
弦振动先来看一个众所周知且和预应力模态有一定关联的例子——弦振动。一根绳子在自然状态下是没有刚度的，可以被折叠成任意形状，在不施加外力的情况下无法恢复到初始状态。拨动没张紧的吉他琴弦时，吉他无法发出声音，因为琴弦没有抵抗横向变形的能力，即没有横向刚度，因而无法振动发声；但当琴弦绷紧后，即琴弦两端加上一定的拉力时，便有了抵抗横向变形的能力了，这个能力和拉力的大小有关，拉力越大，琴弦的“横向刚度”越大，振动的频率越高，进而就可以发声了。预应力模态接下来考虑轴向力作用在梁的情况。梁自身是具备抵抗弯曲的能力的，即具有抗弯刚度，记为k0。当它受到一个恒定的轴向力F时，由于轴向和横向正交，因此，轴向力不会
从abaqus到unity：目录1.数据准备1.1abaqus中提取elementrpt文件 elementrpt文件格式：1.2abaqus中提取noderpt文件：noderpt文件格式：2.python预处理以上数据：2.1提取noderpt中的节点坐标及应力值2.2提取elementrpt中的单元信息 2.3将以上信息写入obj文件3.在unity中添加obj并挂载shader和material显示效果：1.数据准备1.1abaqus中提取elementrpt文件 在probe中选择element，输出单元类型及连接节点信息elementrpt文件格式：abaqus默认单元类型为C3D
【1】偏应力张量 通常将应力张量分为两个部分，一部分是球应力张量，另一部分是偏应力张量。其中偏应力张量表示为pδijp\delta_{ij}pδij（这里的δij\delta_{ij}δij是克罗内克函数）的张量，其中平均应力ppp为p=13ckk=13(σx+σy+σz)=13I1(1)p=\frac{1}{3}c_{kk}=\frac{1}{3}(\sigma_{x}+\sigma_{y}+\sigma_{z})=\frac{1}{3}I_{1}\tag{1}p=31ckk=31(σx+σy+σz)=31I1(1) 显然由式(1)得知，ppp对于坐标轴可能的所有方向
Motivation-采用Unity作为孪生技术栈的经历?最开始想要利用Ansys的TwinBuilder模块来进行数字孪生的开发，但是Ansys的TwinBuilder在部署的时候，需要license，要获得license所要花费的价格是难以接受的。后来想要利用QT+VTK的方式来进行开发，因为QT是用来开发GUI程序比较常用的框架，加上自己所要研究的对象需要实时反映三维的应力应变的情况，VTK是一个专门做可视化的包，也在网上查到Paraview这个非常强大的科学可视化的软件就是基于VTK所编写的，我还专门去研究了一下paraview的源码编译过程，发现最后虽然实现了paraview的编译，
文章目录问题的由来速度梯度1第一行1.1分量和形式1.2矩阵形式2第二行2.1分量和形式2.2矩阵形式3第三行3.1分量和形式3.2矩阵形式4合在一起对称张量应变张量应力张量问题的由来在splishsplash论文教程当中，在讲到粘性的时候，有这样一页PPT这是流体力学的基础知识，即利用牛顿本构模型来构建的NS方程。我们先看左边这个公式被称为柯西动量方程。这个方程对流体力学和固体力学全都适用。因此可以视为NS方程更基础的存在。它其实就是一个线动量方程。左边的加速度，右边是内力（由应力表示，为面力）和外力（一般是体力）。其中T是应力张量。我们再看右边这个公式。这个公式就是牛顿本构方程。针对于牛顿
#三片式直角应变花主应力及其夹角计算是对于一些受力复杂的部位，很难判断受力主方向的测点，可采用三片式直角应变花进行测试，本文主要对三片式直角应变花的主应力和主应力方向进行计算。三片式直角应变花的主应变计算公式如下（式1）:对于任意角度的应变计算公式如下（式2）：第一第二主应力计算公式如下（式3）：主应变与0°应变片夹角（式4）：上述公式计算了第一第二主应变和第一第二主应力的大小，但是在夹角计算公式描述为主应变与0°夹角，而非第一或第二主应力与0°的夹角。为了便于判断计算出第一主应力和0°的夹角。本文按照如下思路：通过公式4计算主应变的夹角通过公式1计算第一主应变的大小；将步骤1计算出的夹角带入
LOD效应对于利用STI作隔离的深亚微米CMOS工艺制程技术，STI沟槽中填充的是隔离介质氧化物，由于硅衬底和隔离介质氧化物的热力膨胀系数不同，导致STI会产生压应力挤压邻近MOS的有源区，引起器件的电参数发生变化，这种效应称为STI应力效应，也称LOD效应（LengthofDiffusioneffect）。LOD效应主要影响器件的饱和电流（Idsat）和阈值电压（Vth）。上图所示为MOS受LOD效应影响的剖面图，STI沟槽中填充的隔离介质氧化物会对MOS有源区产生应力挤压。有源区受LOD效应应力随STI到器件沟道的距离变化，NMOS的速度会随着应力的增大而减小，而PMOS的速度会随着应力的
官网：https://doc.cfd.direct/openfoam/user-guide-v9/platehole$FOAM_TUTORIALS/stressAnalysis/solidDisplacementFoam下的案例1、网格划分/*--------------------------------*-C++-*----------------------------------*\=========|\\/Field|OpenFOAM:TheOpenSourceCFDToolbox\\/Operation|Website:https://openfoam.org\\/And|Vers
官网：https://doc.cfd.direct/openfoam/user-guide-v9/platehole$FOAM_TUTORIALS/stressAnalysis/solidDisplacementFoam下的案例1、网格划分/*--------------------------------*-C++-*----------------------------------*\=========|\\/Field|OpenFOAM:TheOpenSourceCFDToolbox\\/Operation|Website:https://openfoam.org\\/And|Vers
