写在前面本文主要针对使用GD（兆易创新）系列的FLASH做启动配置片时，遇到的相关问题进行简单整理复盘，避免后人踩坑。本人操作固化芯片型号为：ZYNQ7045、690T（复旦微替代型号V7690T）。7系列FPGA固化由于GDSPIFlash器件和进口器件的厂家ID不一致，而Vivado软件又不支持跳过ID检查，导致使用GDFlash做FPGA配置片时，无法通过Vivado软件直接烧录。常见方法有两个，一个是通过TCL脚本加自定义桥接位流的方式，另外一个是通过ISE的IMPACT调过核查ID的操作。通过TCL脚本加自定义桥接位流的方式，在Vivado平台上实现对FLASH配置片的直接烧录。该方
谁能告诉我我要去哪里？intmain(void){charstr[16];unsignedchar*s;unsignedchari,byte;//externchar(*p)[];charstring1[16]="9999999999";char(*p)[16]=&string1;//uint16_ti;sysclk_init();board_init();ioport_init();LCD_pin_init();PORTC.DIRSET=PIN0_bm;//ioport_set_pin_dir(LED,IOPORT_DIR_OUTPUT);/*Insertapplicationcodeher
目录FLASH简介 读写基本步骤FLASH简介FLASH，也就是闪存，在stm32里通常被用来放程序代码，而剩余的空间就可以被用户手动去读和写。基于STM32F103ZET6正点原子的大容量产品，512K的FLASH,共256页，每页2K,比起以前用过的51不知道高了多少倍。以下摘抄自正点原子团队的文档 STM32的闪存模块由：主存储器、信息块和闪存存储器接口寄存器等3部分组成。主存储器，该部分用来存放代码和数据常数（如const类型的数据）。对于大容量产品，其被划分为256页，每页2K字节。注意，小容量和中容量产品则每页只有1K字节。从上图可以看出主存储器的起始地址就是0X08000000，
ROM就是readonlymemory,即可读存储器这个存储器创建出来的目的是为了存储程序的。计算机所谓的工作原理总结起来无非就是八个字——“存储程序，程序控制”那这个程序存储在哪里？就存储在ROM里面。我们电脑里面的程序就是存储的硬盘上面。所以可以说，硬盘就是一种ROM。PROM里面的P就是Program的意思，就是编程的意思。也就是说PROM就是可编程的ROM.什么叫做可编程？以前的ROM发明出来的时候，就只能往ROM里面写一次数据，写完了就拉倒了。但是万一突然发现有个错误，或者想做个更新什么的，那么之前因为往ROM里面写过一次，所以就不能再往ROM里面写了，这个ROM也就报废了。那PRO
STM32H7使用外部flash运行程序在淘宝上买了一块核心板，使用的STM32H7B0VBT6。客服很尽责，帮助了我很多。H7系列的功能很强大，但是H7B0他有个问题，只有128k的内部flash，这么强大的芯片只有这么小的flash，想搞个RTTreadOS都不行。无奈，智能选择使用外部flash，好在核心板上有两个W25Q64，一个SPI，一个QSPI足够我们使用的。思路使用SPI总线的Flash模拟成U盘，然后把app的bin文件拷到模拟u盘中，通过SPI去读取SPI内保存的bin文件数据，然后写入缓存中，QSPI读取缓存数据到QSPI中，最后执行跳转程序，运行app。细节1，使用st
我想知道在SpringMVC3.1中重定向后如何读取flash属性。我有以下代码:@Controller@RequestMapping("/foo")publicclassFooController{@RequestMapping(value="/bar",method=RequestMethod.GET)publicModelAndViewhandleGet(...){//Iwanttoseemyflashattributeshere!}@RequestMapping(value="/bar",method=RequestMethod.POST)publicModelAndViewh
我想知道在SpringMVC3.1中重定向后如何读取flash属性。我有以下代码:@Controller@RequestMapping("/foo")publicclassFooController{@RequestMapping(value="/bar",method=RequestMethod.GET)publicModelAndViewhandleGet(...){//Iwanttoseemyflashattributeshere!}@RequestMapping(value="/bar",method=RequestMethod.POST)publicModelAndViewh
0.代码理解DUTAHB总线传输数据位宽有8/16/32（HSIZE[3:0]：000-8bits，001-16bits，010-32bits），而ram不一定支持（这里每个ram支持数据位宽为8位），所以用了4块ram，每块ram对应一个byte。当AHB传来8bit数据时，可以选择四个ram中的任何一个进行存放；传来16bit数据时，可以选择BRAM0/1或者BRAM2/3这两种组合进行存放；传来32bit时，BRAM0~3依次存放第1-4byte。增加一个输入信号HSELBRAM——该信号控制使能ram块。存储器写入控制信号reg_wr_en[3:0]由下一次写入使能信号nxt_wr_e
一SPI_Flash读写操作时序1.1SPI_Flash写操作 通过页写操作指令，可以实现向Flash芯片中连续写入数据，主要有两种实现方式： 1.每次只写入单字节数据，连续写入N次，实现N个数据写入。 2.写入数据前，判断数据可以写满多少页，将数据写满整页，剩下不满一页的数据再通过页写指令一次性写入。 SPI_Flash页写指令和时序如下图所示： 在写入页写指令之前，需要先写入写使能(WREN)指令，将芯片设置为写使能锁存(WEL)状态；随后要拉低片选信号，写入页写指令、扇区地址、页地址、字节地址，紧跟地址写入要存储在Fl
环境：工具：MicrosoftEdgeDev系统版本：Windows10需求描述：描述：需要正常游览Flash页面的所有内容，不能有缺少的动画提示：本文章是最简单的且直接的，若你的电脑不适合这个游览器，可以看我另外一篇文章。https://www.cnblogs.com/boluo0423/p/17358646.html若按照教程还是无法完成操作，可以进入右侧的企鹅，找我看看。实现方法-视频与文字教程：视频教程：文字教程：1.下载到支持Edge游览器的无广告官方Flash插件,进入网站后下滑。下载后直接安装。：https://www.flash.cn/download-wins2.安装好后，重
