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RAM、ROM、FLASH内存的区别和使用

前言在嵌入式开发中,大家都会涉及到操作内存,例如烧录程序、断电记忆读写FLASH、堆栈使用。本文主要讲解,这些常用的ROMRAMFLASH到底有什么区别,使用时需要注意些什么ROMRAMFLASH含义ROM:只读内存,最早的PROM,只能编程一次,无法重复写入,所以较为只读内存,后面发展出紫外线照射下可写可擦的EPROM,但由于擦写麻烦又发展出了EEPROM,电可擦的ROM。RAM:随机存储器,可按字节读写,读写速度块,但有缺点,掉电会丢失数据。FLASH:可擦可写。断电不丢失数据;EEPROM的一种,操作的最小内存大小为扇区/block,不同厂商叫法不一致,又分为NANDFLASH,NORF

【FPGA】FPGA基于spi的flash读写

文章目录一、SPI二、看spi--flash手册找关键1.描述2.flash接口信号3.SPI模式选择4.高字节MSB5.指令6.写使能时序7.读ID时序8.读寄存器时序(我没用到)9.读数据时序10.页编程11.扇区擦除12.重要的时间三、状态机设计1.spi接口状态机2.flash读状态机3.flash写状态机四、代码部分1.==spi_interface.v==2.==spi_read_ctrl.v==3.==spi_write_ctrl.v==4.==spi_control.v==5.==top.v==6.其他模块五、仿真验证六、上板验证七、总结一、SPISPI的通信原理很简单,它以主

【FPGA】FPGA基于spi的flash读写

文章目录一、SPI二、看spi--flash手册找关键1.描述2.flash接口信号3.SPI模式选择4.高字节MSB5.指令6.写使能时序7.读ID时序8.读寄存器时序(我没用到)9.读数据时序10.页编程11.扇区擦除12.重要的时间三、状态机设计1.spi接口状态机2.flash读状态机3.flash写状态机四、代码部分1.==spi_interface.v==2.==spi_read_ctrl.v==3.==spi_write_ctrl.v==4.==spi_control.v==5.==top.v==6.其他模块五、仿真验证六、上板验证七、总结一、SPISPI的通信原理很简单,它以主

Vivado如何对固化选项里没有的FLASH进行烧写?

Vivado如何对固化选项里没有的FLASH进行烧写?Vivado如何对固化选项里没有的FLASH进行烧写?引言1.打开Vivado软件安装目录的flash库文件2.添加对应的flash器件指令总结关键词:Vivadoflash固化、winbondflash、远程固化、W25Q128、FPGA引言在固化时,会遇到找不到flash器件的问题,这里稍微作个总结:(针对xinlinx的芯片)1,常见的厂家有:镁光,issi,spanish等,在vivado固化器件的选项里也只有这几家的。2,但是vivado还是支持另外一些厂家的flash芯片的,每个厂家都有固定的id,,比如今天遇到的winbond

如何在Selenium Python Firefox中启用Flash

当我打开Firefox时,它已经安装在其中,但是当我通过Selenium打开它时,Firefox版本没有闪烁。如何在硒中启用闪光灯。这是我正在使用的测试代码:firefoxProfile=FirefoxProfile()firefoxProfile.set_preference('dom.ipc.plugins.enabled.libflashplayer.so','true')b=webdriver.Firefox(firefoxProfile,executable_path=r"C:\\ProgramFiles\geckodriver-v0.16.1-win64\geckodriver.e

STM32CubeMX学习笔记(51)——读写内部Flash

一、简介在STM32芯片内部有一个FLASH存储器,它主要用于存储代码,我们在电脑上编写好应用程序后,使用下载器把编译后的代码文件烧录到该内部FLASH中,由于FLASH存储器的内容在掉电后不会丢失,芯片重新上电复位后,内核可从内部FLASH中加载代码并运行。STM32的内部FLASH包含主存储器、系统存储器以及选项字节区域,它们的地址分布及大小见下表主存储器一般我们说STM32内部FLASH的时候,都是指这个主存储器区域,它是存储用户应用程序的空间,芯片型号说明中的256KFLASH、512KFLASH都是指这个区域的大小。主存储器分为256页,每页大小为2KB,共512KB。这个分页的概念

STM32CubeMX学习笔记(51)——读写内部Flash

一、简介在STM32芯片内部有一个FLASH存储器,它主要用于存储代码,我们在电脑上编写好应用程序后,使用下载器把编译后的代码文件烧录到该内部FLASH中,由于FLASH存储器的内容在掉电后不会丢失,芯片重新上电复位后,内核可从内部FLASH中加载代码并运行。STM32的内部FLASH包含主存储器、系统存储器以及选项字节区域,它们的地址分布及大小见下表主存储器一般我们说STM32内部FLASH的时候,都是指这个主存储器区域,它是存储用户应用程序的空间,芯片型号说明中的256KFLASH、512KFLASH都是指这个区域的大小。主存储器分为256页,每页大小为2KB,共512KB。这个分页的概念

GD(兆易创新)系列FLASH进行FPGA和ZYNQ配置固化相关操作

写在前面本文主要针对使用GD(兆易创新)系列的FLASH做启动配置片时,遇到的相关问题进行简单整理复盘,避免后人踩坑。本人操作固化芯片型号为:ZYNQ7045、690T(复旦微替代型号V7690T)。7系列FPGA固化由于GDSPIFlash器件和进口器件的厂家ID不一致,而Vivado软件又不支持跳过ID检查,导致使用GDFlash做FPGA配置片时,无法通过Vivado软件直接烧录。常见方法有两个,一个是通过TCL脚本加自定义桥接位流的方式,另外一个是通过ISE的IMPACT调过核查ID的操作。通过TCL脚本加自定义桥接位流的方式,在Vivado平台上实现对FLASH配置片的直接烧录。该方

STM32基于HAL库的读写FLASH

目录FLASH简介 读写基本步骤FLASH简介FLASH,也就是闪存,在stm32里通常被用来放程序代码,而剩余的空间就可以被用户手动去读和写。基于STM32F103ZET6正点原子的大容量产品,512K的FLASH,共256页,每页2K,比起以前用过的51不知道高了多少倍。以下摘抄自正点原子团队的文档 STM32的闪存模块由:主存储器、信息块和闪存存储器接口寄存器等3部分组成。主存储器,该部分用来存放代码和数据常数(如const类型的数据)。对于大容量产品,其被划分为256页,每页2K字节。注意,小容量和中容量产品则每页只有1K字节。从上图可以看出主存储器的起始地址就是0X08000000,

STM32H7使用外部flash运行程序

STM32H7使用外部flash运行程序在淘宝上买了一块核心板,使用的STM32H7B0VBT6。客服很尽责,帮助了我很多。H7系列的功能很强大,但是H7B0他有个问题,只有128k的内部flash,这么强大的芯片只有这么小的flash,想搞个RTTreadOS都不行。无奈,智能选择使用外部flash,好在核心板上有两个W25Q64,一个SPI,一个QSPI足够我们使用的。思路使用SPI总线的Flash模拟成U盘,然后把app的bin文件拷到模拟u盘中,通过SPI去读取SPI内保存的bin文件数据,然后写入缓存中,QSPI读取缓存数据到QSPI中,最后执行跳转程序,运行app。细节1,使用st