CMOS中的latch-up闩锁效应、添加tap解决latch-up、使用combainedarea绘制TAPTAP的作用IC后端版图【VLSI】一、latch-up、Tap1.CMOS基础认知：N-Well和P-Substrate在CMOS里的位置2.latch-upissueLatch-up三种解决方案Prevention3.添加tapcells解决latch-up问题3.TAP的基础概念n-welltap&p-substratetap的工艺规则排列的个数二、画版图layout时的TAP1.Magicn-welltapp-substratetapcombainedarea分层画法的解释：c
目录1.简述latch与FF的区别，并用verilog分别实现1bitlatch与DFF。2.IC设计中reset的设计通常有同步reset和异步reset两种方式。3.阐述“时钟抖动”的基本概念，可能产生的原因？在数字逻辑设计中对setuptime和holdtime的影响是什么？4.阐述一下meta-stability的概念及在设计中如何防止。5.给定一个时钟信号clk，设计一个占空比为50%的三分频时钟clk_div3,用Verilog写出这个设计。6.设计一个顶层模块，顶层模块实现一个双口SRAM，一个口只读，一个口只写。试用Verilog写出这个顶层模块的实现。7.根据自己的理解列出经
专栏推荐：2023数字IC设计秋招复盘——数十家公司笔试题、面试实录专栏首页：2023数字IC设计秋招复盘——数十家公司笔试题、面试实录专栏内容：笔试复盘篇2023秋招过程中整理的笔试题，来源包括我自己求职笔试以及整理其他同学的笔试。包含华为、中兴、联发科、AMD、大疆、紫光展锐、荣耀、小米、复旦微、星宸、燧原、泰凌微、思特微、瑞芯微、诺瓦、芯合、芯动、芯原、曦华等等公司。面试复盘篇2023秋招过程中自己的面试，主要包括面试全程的问题与我的回答，以及后期自我点评等。包括华为、中兴、小米、zeku、联发科、星宸、禾赛、加特兰、速腾聚创、地平线、芯原等公司。准备工作篇包括求职过程中使用到的资料推荐
我正在使用iOSSDK8.1尝试调用requestWhenInUseAuthorization()方法来提示用户授予对我的应用程序的访问权限。我导入了CoreLocation.framework，并将NSLocationWhenInUseUsageDescription和NSLocationAlwaysUsageDescription键添加到info.plist中。当我运行该应用程序时，它从未提示我进行位置访问。下面是我的代码，我错过了什么？importUIKitimportCoreLocationimportMapKitclassViewController:UIViewContro
我收到了几个这样的警告:Swiftcompilerwarning:CompileSwiftSourcesnormalarm64com.apple.xcode.tools.swift.compiler/Myfolder/Pods/Headers/CocoaLumberjack/DDLog.h:176:9:'LOG_INFO'macroredefined/Myfolder/Pods/Headers/CocoaLumberjack/DDLog.h:177:9:'LOG_DEBUG'macroredefined警告提示Projet-Bridging-Header.h中的DDLog.h#impo
一.MCP4725简单总结为下面几个特点。1路DAC输出12位分辨率I2C接口（标准，快速，高速支持）供电电压2.7-5.5内部EEPROM存储设置I2C地址可配置（A0）（A1、A2内置，默认为‘00’）二.硬件设计MCP4725的管脚定义如图所示，比较简单官方的电路图如下一般上拉电阻选择10K就可以了，后级的比较器看项目需要，可以更换为同相放大器。三.软件设计MCP4725的输出电压由下面的公式计算得出可以理解为VDD除以4096份，我们想要输出相对应的电压只要计算好相对应的份数就可以了。MCP4725采用I2C接口。写命令如图MCP4725带一个EEPROM，可以存储上一次输出的电压指令
我已将我的项目从另一台安装了最新Xcode的机器上移走。但是现在当我运行项目时它给我错误Info.plist:0:error:readingdata:Thefile“Info.plist”couldn’tbeopenedbecausethereisnosuchfile.以前项目运行没有问题，但现在在新系统项目上有错误。之前的版本是Xcode7.3。 最佳答案 当系统无法从您的文件层次结构中找到info.plist文件时，会发生此错误。考虑这种情况:我像这样将info.plist文件移动到组“其他”..转到目标-点击build设置-找
CMOSPROCESSFLOW简化版总结CMOS制造工艺流程IC后端版图【VLSI】FabricationFacility前言CMOSPROCESSFLOW（CMOS制造工艺流程【全】）ReferenceFabricationFacility前言FabricationFacility：主要包括这些工序：Fabricationsiliconwafer，也就是从砂中提纯单晶硅造wafer，现在主流wafer大小是200mm和300mm。Waferprocessing，就是在wafer上制作芯片。建议可以先看这个视频了解一些形象化的概念：Howaremicrochipsmade?Fabricatio
逻辑综合定义逻辑综合就是将前端设计工程师编写的RTL代码，映射到特定的工艺库上，通过添加约束信息，对RTL代码进行逻辑优化，形成门级网表。约束信息包括时序约束，线载模型约束，面积约束，功耗约束等。逻辑综合的转换过程逻辑综合主要包含以下三个方面：翻译，门级映射，逻辑优化。Synthesis=Translation+GateMapping+LogicOptimizationTranslation：将Verilog或者VHDL代码转换成GTECH网表（通用的网表格式，与工艺库没关系），然后会转换成和工艺库相关的网表设计文件。GateMapping：将GTECH网表文件进行实际门级电路的映射，映射到标
我有一个执行批量更新语句的批处理。在使用SpringJDBC4.1.6和OracleJdbc驱动程序(ojdbc7和ucp)实现批处理支持后，单个更新请求(在批处理中)受影响的记录数始终检索为-2(Statement.SUCCESS_NO_INFO)。有什么方法可以知道单个更新请求(批量设置的参数)影响的行，因为在此之后我必须使用INSERT语句重试相同的参数？？技术上尝试将其开发为UPSERT实现我用三种不同的方式尝试了这个批量更新，并且在所有三种方法中结果都是相同的——(它只是告诉我Statement.SUCCESS_NO_INFO(-2))方法一——直接UCP连接和Prepare
