#include"gd32e50x.h"#if 0 //RS~A23 16根数据线#defineBANK0_LCD_D ((uint32_t)0x61000000) //LCDdataaddress,RS~A2316线 2^23*2=0x1000000 #defineBANK0_LCD_C ((uint32_t)0x60000000) //LCDregisteraddressAlternate2:EXMC_NE0=PD7~LCD_CS#defineLCD_WR_DATA(value) ((*(__IOuint16_t*)(BANK0_LCD_D))=((uint16_t)
目录前言一、时钟与中断二、GPIO三、ADC四、定时器4.1基本定时器4.2通用定时器4.2.1输入捕获4.2.2输出比较五、UART5.1通讯的基本概念5.1.1串行通讯与并行通讯5.1.2全双工、半双工及单工通讯5.1.3同步通讯与异步通讯5.1.4通信速率5.2异步串口UART5.2.1物理层5.2.2协议层5.3串口配置六、IIC七、SPI前言 本文主要讲单片机外设的功能，即这些外设是什么，可以用来干什么，了解了之后我们就可以通过相应的寄存器配置来驱动这些外设。本文带大家深入了解一下这些外设的工作原理，知道了功能之后，对应任意一个MCU都可以找相应功能的寄存器。因为寄存器名字可以不同
本章节主要介绍MCU模块相关内容一、S32K144时钟树介绍：二、MCU模块介绍：三、MCU模块配置：一、S32K144时钟树介绍：1-1、时钟对于任何一款微控制器是很重要的，所以我们首先要了解S32K144的时钟树，才能为后续的MCAL中MCU模块配置做好准备，废话不多说，先上一张图片，聊了解下对应芯片手册的第27章ClockDistribution。1、SOSC就是连接外部的高速时钟，我们一般情况下会优先选择它，精准度会很高，稳定下也很好，我们一般用8M或者16M的晶振，内部的时钟容易因为温度产生应先。2、FastIRC：内部高速时钟3、SlowIRC：内部低速时钟4、LPO：内部低功耗时
系统环境一、编译服务器和加载模块二、下载编译指定版本verto_communicator三、开启第二个客户端四、视频通话测试结果五、MCU的通话原理及音频/视频/布局/管理员等参数配置附录1.用freeswitch-1.10.0中的客户端2.freeswitch微信交流群系统环境lsb_release-aNoLSBmodulesareavailable.DistributorID:UbuntuDescription:Ubuntu22.10Release:22.10Codename:kineticuname-aLinuxyqw-Lenovo-XiaoXinPro-13ARE-20206.2.0-
单片机的内核架构有很多种，常见的包括8051系列（STC89c52单片机主要是基于8051内核）、PIC系列、AVR系列、ARM系列等。其中，ARM系列是应用最广泛的32位处理器，其内核架构包括Cortex-M系列、Cortex-R系列、Cortex-A系列等。ARM内核的单片机有很多种，以下是一些常见的系列：STM32系列：主要包括Cortex-M0、Cortex-M3、Cortex-M4等内核的单片机，是比较常用的高性价比的ARM单片机之一。LPC系列：主要包括Cortex-M0等内核的单片机，也是比较常用的ARM单片机之一，等等。单片机选型要考虑的几大方面：1.首先必须考虑的是要考虑MC
作者的话开发板提供了单片机启动DSP的源代码，用户可以在Sigmastudio中设计好程序后，通过导出设计文件到单片机例程的指定文件夹中，编译该单片机例程，并使用单片机烧写器烧写到单片机中，实现单片机启动DSP，下面我们来看看这个操作应该怎么做。硬件准备ADAU1777开发板：一块产品链接：https://item.taobao.com/item.htm?spm=a1z10.5-c.w4002-5192690539.11.6093559dhEs2Km&id=582930857113USBi仿真器：一个产品链接：https://item.taobao.com/item.htm?spm=a1z10
PY系列离线烧录器，目前支持PY32F002A/002B/002/003/030/071/072/040/403/303各封装、不同FLASH大小型号。PY离线烧录器需要搭配上位机软件使用，上位机软件可以在芯岭技术官网上下载，还包括了离线烧录器的使用说明。PY离线烧录器使用MINIUSB线供电，烧录器仅提供3.3V的SWD烧录。需连接SWD_VCC，SWD_GND，SWCLK，SWDIO。分别对应被烧录芯片的VCC，GND，SWCLK，SWDIO。PY系列离线烧录器与烧录机台通讯需连接6根线，分别为机台电源正极，机台电源负极，烧录成功，烧录失败，开始烧录，烧录中。下文是对新版PY系列离线烧录器
在嵌入式系统开发中，选择一个合适的图形用户界面（GUI）库是至关重要的。在屏幕上显示的时候，使用现成的图形库，这样开发人员就不需要弄清楚底层任务，例如如何绘制像素、线条、形状，如果再高级一点，则可以绘制某些对象，例如窗口、按钮等。第一期我们介绍了5个，今天继续介绍5个。MCU的TOP15图形GUI库：选择最适合你的图形用户界面（一）下面将介绍5个备受欢迎的嵌入式GUI库，分析它们的特点、优缺点、使用场景以及生态系统，以便开发人员能够更好地选择适合自己项目的GUI库。6、QtforMCUhttps://www.qt.io/product/develop-software-microcontrol
本篇文章介绍了在TC397平台使用EB-treso对MCU驱动模块进行配置的实战过程，主要介绍了后续基本每个外设模块都要涉及的芯片时钟部分，帮助读者了解TC397芯片的时钟树结构，在后续计算配置不同外设模块诸如通信速率，定时器周期等，都能有一个清晰的输入频率来源理解。目录概述MCU配置 General：McuGeneralConfigurationGeneral：McuModuleConfigurationMcuResetSettingConf McuTrapSettingConfMcuClockSettingConfig McuSystemPllSettingConfig McuPeriph
MOS晶体管在饱和与非饱和区的行为以NMOS为例，当VGS>VT且VGS=VGD时，形成厚度均匀的沟道；当MOS管工作在非饱和区时，VGS和VDS均大于阈值电压VT，这样才能形成源漏之间的沟道，此时，若VGD假如继续增加漏极-源极间电压VDS，以致于VDS=VGS-VT，这时的工作区域相当于非饱和区与饱和区的分界处。由于栅极—漏极间电压VGD=VGS-VDS=VT，所以栅极-漏极间电压就与阈值电压VT相等。就是说，漏区沟道消失了，我们把沟道消失的状态称为夹断。继续再增大漏源电压，就变成VDS>VGS-VT，此时NMOS晶体管就工作在饱和区了。发生夹断的情况下，当沟道端与漏区之间的耗尽层的长度△
