经常看到有文章说MOS管的导通电阻是正温度特性，阈值电压是负温度特性，但是一直不清楚具体的原理。本文就详细讲讲MOS管导通电阻正温度特性。  首先分别找一份PMOS和一份NMOS的datasheet，看下导通电阻的正温度特性，阈值电压的负温度特性是什么样的。  下面两张图分别PMOS的导通电阻与阈值电压随温度变化的曲线。  下面两张图分别NMOS的导通电阻与阈值电压随温度变化的曲线。  可以看出，不管是NMOS还是PMOS，导通电阻RDS（on）都随着温度的升高而增大，阈值电压绝对值都随温度的升高而降低。  MOS管的导通电阻与其中的载流子迁移率有关，载流子迁移率越慢，导通电阻越大。  M

出版商：贝哲斯咨询获取报告样本：企业竞争态势   探测二极管市场报告涉及的主要国际市场参与者有Vishay、ONSemiconductor、NXP、Comchip、ANOVA、Bourns、PanJit、ROHM、Diodes、Toshiba、Microsemi、RenesasElectronics、Good-ArkElectronics、TorexSemiconductor等。这些参与者的市场份额、收入、公司概况和SWOT分析都包含在该报告中。探测二极管产品细分：高频中频低频探测二极管应用领域：无线电电视通信设备其他市场报告背景与摘要：   首先，主要通过地区、类型以及应用三个维度，深入分析

注：如下内容学习于“电路啊”公众号！一、电路介绍使用MOS管实现的防电源反接电路，在电源正确接入时，电源正常对负载供电。在电源正负极反接时，断开负载电路，从而保护负载。下面讲解使用“P型”MOS管的防电源反接电路。二、电路分析（以Vin=5V为例）1、电源正确接入时电源正常接入，也就是电源没有正负反接，此时电源正常对负载供电。假设拿掉MOS管g极的电阻R1，此时MOS管将不导通，但Vin可以通过MOS管的体二极管对负载进行供电。体二极管的压降约为5V-4.3V=0.7V。实际上MOS管的g极是有电阻R1的，MOS管的g极通过电阻R1接到电源负极的GND。在MOS管导通前，Vin的电压依然通过M

1.元件简介               肖特基二极管是一种导通电压降比较低，可以高速切换的二极管。肖特基二极管与一般的二极管相比最大的差异是反向恢复时间，即二极管由流过正向电流的导通状态，切换到不导通状态所需的时间。肖特基二极管没有反向恢复时间，因此小信号的肖特基二极管切换时间约为数十pS。但是也存在着反向击穿电压较低，反向漏电电流偏大的缺点。肖特基二极管符号2.参数指标      肖特基二极管常用于开关电源、变频器、驱动电路等领域，再不同的应用场景中，需要考虑的主要因素也不太，需要根据具体的应用场景综合考虑。主要考虑的几个参数如下：a导通压降VF：当肖特基二极管正向导通时二极管两端的压降。

浅谈三极管、运放、MOS管驱动的常见电路前言一、三极管的应用电路二、运算放大器的应用电路三、MOS管驱动电路总结前言随着对电路应用能力的要求越来越高，模拟电路中的三极管和运放显得越来越重要，很多人都开启了模拟电路的学习，本文就介绍了三极管和运放中常见电路及应用的基础内容。一、三极管的应用电路三极管有三个工作状态：截止、放大、饱和，放大状态很有学问也很复杂，多用于集成芯片，比如运放……其实，对信号的放大我们通常用运放处理，三极管更多的是当做一个开关管来使用，且只有截止、饱和两个状态。截止状态看作是关，饱和状态看作是开。Ib≥1mA时，完全可以保证三极管工作在饱和状态，对于小功率的三极管此时Ic为

MOSFET管并联工作时，需要考虑两个问题：1）满载时，并联器件完全导通时的静态电流分配是否均衡。2）通断转换过程中它们的动态电流是否分配均衡。在并联工作的情况下，无论是静态还是动态情况，如果一个MOSFET管分担了相对较多的电流，它发热将会更厉害，很容易造成损坏或者造成长期的可靠性隐患。静态电流分配不均衡是由于并联器件的Rds不相等引起的。Rds较低的器件分担了比平均值更大的电流。由于MOSFET管的Rds具有正的温度系数，所以MOSFET管不会发生二次击穿。如果MOSFET管内部的一小部分区域吸收了更多的电流，则局部发热会比较厉害，内阻增加，就把部分点六转移到相邻区域，以平衡电流密度。这个

关于buck/boost升降压电路的知识，学习整理如下。BUCK/BOOST升降压电路构成的三兄弟元器件：1.电感，2.二极管，3.mos管。电路用到：1、基尔霍夫定律：一个回路上的电压之和等于02、法拉第电磁感应定律：这是最核2心的电感起作用的定律，感应电动势计算公式：E＝nΔΦ/Δt（普适公式）｛E：感应电动势(V)，n：感应线圈匝数，ΔΦ/Δt:磁通量的变化率｝自感电动势计算公式：E自＝nΔΦ/Δt＝LΔI/Δt｛L:自感系数(H)(线圈L有铁芯比无铁芯时要大)，ΔI:变化电流，∆t:所用时间，ΔI/Δt:自感电流变化率(变化的快慢)｝从而得出：U=Ldi/dt==>Udt=Ldi3、能

编辑-ZM7二极管参数和实物：型号：M7二极管封装：SMA最大重复峰值反向电压（VRRM）：1000V最大有效值电压（VRMS）：700V最大直流阻断电压（VDC）：1000V最大平均正向整流电流（IF）：1A峰值正向浪涌电流（IFSM）：30A1.0A时的最大瞬时正向电压（VF）：1.1V最大直流反向电流（IR）：5uA典型结电容（CJ）：15pF典型热阻（RθJA）：75℃/W工作结温和存储温度（TJ,Tstg）：-50~ +150℃  A7二极管参数和实物：型号：A7二极管封装：SOD-123最大重复峰值反向电压（VRRM）：1000V最大有效值电压（VRMS）：700V最大直流阻断电压

MOS管驱动电流估算及MOS驱动的几个特别应用解析MOS管驱动电流估算是本文的重点，如下参数：有人可能会这样计算：开通电流Ion=Qg/Ton=Qg/Td(on)+tr，带入数据得Ion=105nc/(140+500)ns=164mA关断电流Ioff=Qg/Toff=Qg/Td(off)+tf，带入数据得Ioff=105nc/(215+245)ns=228mA。于是乎得出这样的结论，驱动电流只需300mA左右即可。仔细想想这样计算对吗？这里必须要注意这样一个条件细节，RG=25Ω。所以这个指标没有什么意义。应该怎么计算才对呢？其实应该是这样的，根据产品的开关速度来决定开关电流。根据I=Q/t，

二极管反向恢复时间和反向恢复电流二极管反向恢复时间和反向恢复电流是二极管的重要指标。所谓的快恢复，慢恢复二极管就是以此为标准。二极管在从正偏转换到反偏的时候，即指二极管从导通状态恢复到具有阻断能力所需要的的时间，这段时间内会出现较大的反向恢复电流从阴极流向阳极，反向电流先上升到峰值，然后下降到零。其上升下降的时间就是反向恢复时间，峰值电流就是反向恢复电流。出现上述反向回复时间是由于载流子的存在，移除这些载流子使二极管开始具有阻断能力需要一定的时间。在高达数百安培的工作电流情况下，快恢复二极管反向恢复时间只需要几个微秒。这个在高频率的应用中会带来很大损耗。而反向恢复时间和电流和二极管截止时，正向