经常看到有文章说MOS管的导通电阻是正温度特性，阈值电压是负温度特性，但是一直不清楚具体的原理。本文就详细讲讲MOS管导通电阻正温度特性。 首先分别找一份PMOS和一份NMOS的datasheet，看下导通电阻的正温度特性，阈值电压的负温度特性是什么样的。 下面两张图分别PMOS的导通电阻与阈值电压随温度变化的曲线。 下面两张图分别NMOS的导通电阻与阈值电压随温度变化的曲线。 可以看出，不管是NMOS还是PMOS，导通电阻RDS（on）都随着温度的升高而增大，阈值电压绝对值都随温度的升高而降低。 MOS管的导通电阻与其中的载流子迁移率有关，载流子迁移率越慢，导通电阻越大。 M
BUCK电源SW电压尖峰过冲问题产生原因： （示波器正常测试时须关闭20M带宽限制） ①器件本身的寄生电感以及寄生电容造成的，主要是电感电容器件的谐振频率。 ②功率电感自身的参数，如果过冲振荡频率和电感自谐频率相同，基本可以确定为电感自身引起，但过冲振荡频率一般是百兆量级，所以电感自身引起的可能性会很小。 ③MOS开关管的栅极G、源极S、漏极D上面有寄生电感存在，我们所用的DCDC框架图中，以下图SGM61720为例，开关管状态等效为下图所示。在开关导通之后，SW从0V电压开始上升，那么C2在被充电，电源需要通过L1提供功率电感L3的续流以及对C2的充电，由于L1的电流>功率电感电流，
STM32模拟SPI时序控制双路16位数模转换（16bitDAC）芯片DAC8552电压输出STM32部分芯片具有12位DAC输出能力，要实现16位及以上DAC输出需要外挂DAC转换ASIC。DAC8552是双路16位DAC输出芯片，通过SPI三线总线进行配置控制输出。这里介绍通过GPIO管脚模拟时序进行控制的方式。电路连接DAC8552支持2.7V~5.5V的供电，根据需要提供电源电压，对于STM32可能面对不同供电电压的DAC8552,因此STM32与DAC8552连接的三线，可以用10K电阻上拉到DAC8552的供电电压，而STM32选择支持FT（5V耐压）的三个管脚，并采用Open-d
提示：文章写完后，目录可以自动生成，如何生成可参考右边的帮助文档实验目的，使用stm32的adc采集stm32开发板的3v3、GND电压，验证adc采集功能。废话必说只会用if的大神提醒您，敌军还有30秒到达战场，碾碎他们！白银局不要怕！一、准备工作软件：keil5、stm32cubemx、串口调试助手硬件：stm32f103系列的开发板、杜邦线*1、串口工具仅此而已！！！正好6神二、配置步骤1、cubemx配置端口生成代码(就像我们打游戏设置一样这里不过多解释了！)1、打开cubemx选择完你用的芯片就到了这里啦这里我以stm32c8t6为例： 选择serialwire模式 2、时钟配置（
1.ADC0804简介工作电压：+5V，即VCC=+5V。模拟转换电压范围：0～+5V，即0≤Vin≤+5V。分辨率：8位，即分辨率为1/(2^8)=1/256，转换值介于0～255之间。转换时间：100us（fCK=640KHz时）。转换误差：±1LSB。参考电压：2.5V，即Vref/2=2.5V。Vin（+）、Vin（-）：两个模拟信号输入端，可以接收单极性、双极性和差模输入信号。DB0-DB7：具有三态特性数字信号输出端，输出结果为八位二进制结果。CLKIN：时钟信号输入端。CLKR:内部时钟发生器的外接电阻端，与CLK端配合可由芯片自身产生时钟脉冲，其频率计算方式是：fck=1/(1
TL431是三端可调节并联稳压器。可以通过两个外部电阻器将输出电压设置为介于Vref（约为2.5V）和36V之间的任意值。其输出阻抗典型值均为0.2Ω。此类器件的有源输出电路具有非常明显的导通特性，因此非常适合用于替代许多应用中的齐纳二极管，例如板载稳压器、可调节电源和开关电源。 目录1、TL431基本概述1.1、TL431工作条件1.2、TL431的响应速度与输入电阻的关系2、TL431常用的电路形式2.1、TL431用于并联型稳压器（LDO）2.2、TL431用于2.5V基准电压源（2.1的特殊情况）2.3、TL431用于比较器2.4、TL431用于精密大电流串联稳压器（L
[电路]系列文章目录1-发出功率和吸收功率关系2-独立源和受控源3-基尔霍夫定律4-两端电路等效变换、电阻串并联5-电压源、电流源的串联和并联文章目录[电路]系列文章目录一、理想电压源的串并联1.串联2.并联3.电压源与支路串联4.电压源与支路并联二、理想电流源的串并联1.串联2.并联3.电流源与支路串联4.电流源与支路并联一、理想电压源的串并联1.串联根据各个理想电压源的电压参考方向，得到如下表达式：uS=uS1+uS2=∑uSku_S=u_{S1}+u_{S2}=\sumu_{Sk}uS=uS1+uS2=∑uSk2.并联具有相同电压的理想电压源才可以并联，有如下表达式：uS=uS1
SOC对于电池的寿命以及使用效率是至关重要的，对于锂电池的SOC估算，有很多种，开路电压、安时积分、卡尔曼滤波、神经网络等方法。卡尔曼滤波、神经网络训练这两种方法目前只是处于理论阶段，对于开发人员开发难度大。安时积分法、开路电压法这两种开发难度较小，是行业内普遍的两种SOC估算方法。 但是安时积分法、开路电压法这两种方法弊端也很明显。安时积分法即采用AH累积的方法，对动态的锂电池进行实时的SOC估算，这就对系统电流采集的精度要求非常高，如果误差大，AH累积的容量那必将跟实际容量误差大，导致SOC误差大。同时该方法对SOC初始值依赖非常高，每次充放电都必须充满至100%或
SOC对于电池的寿命以及使用效率是至关重要的，对于锂电池的SOC估算，有很多种，开路电压、安时积分、卡尔曼滤波、神经网络等方法。卡尔曼滤波、神经网络训练这两种方法目前只是处于理论阶段，对于开发人员开发难度大。安时积分法、开路电压法这两种开发难度较小，是行业内普遍的两种SOC估算方法。 但是安时积分法、开路电压法这两种方法弊端也很明显。安时积分法即采用AH累积的方法，对动态的锂电池进行实时的SOC估算，这就对系统电流采集的精度要求非常高，如果误差大，AH累积的容量那必将跟实际容量误差大，导致SOC误差大。同时该方法对SOC初始值依赖非常高，每次充放电都必须充满至100%或
【学渣分析，有错误的地方还请大家指出，感谢支持】为什么要输出4-20mA的电流我就不赘述了：可以参考下面的文章采用4~20mA电流来传输模拟量我们先看一下是用最简单的电路来输出4-20ma电流： 计算过程：虚断、虚短虚断：① v-=v ②v/R2=Iout(被控制输出的电流大小)虚短：③v+=v-所以Iout=V+/R2 即通过Vin单片机的输入电压来控制通过R2电阻输出的电流大小。上图是仿真的结构，当Vin输入为3V的时候，通过R2的电流为30mA。想利用这个电流输出4-20mA只需要控制Vin范围在 0.4V~2V. 如下图所示 ============
