文章目录一、MIM和MOM电容简介1、MIM(Metal-Insulator-Metal)电容2、MOM(Metal-Oxide-Metal)电容二、先进工艺下，MIM和MOM电容的比较1、单位面积容值2、工艺实现和电压系数3、电容密度受频率的影响(稳定性）4、自谐振频率随面积的变化5、品质因数6、MIM和MOM的表格比较总结一、MIM和MOM电容简介1、MIM(Metal-Insulator-Metal)电容MIM电容被称为极板电容，电容值较精确，电容值不会随偏压变化而变化。是Mn和Mn-1(版图金属层数)金属构成的，利用上下层金属间的电容构成。电容值可以用上级板面积*单位容值来进行估算，上
文章目录一、MIM和MOM电容简介1、MIM(Metal-Insulator-Metal)电容2、MOM(Metal-Oxide-Metal)电容二、先进工艺下，MIM和MOM电容的比较1、单位面积容值2、工艺实现和电压系数3、电容密度受频率的影响(稳定性）4、自谐振频率随面积的变化5、品质因数6、MIM和MOM的表格比较总结一、MIM和MOM电容简介1、MIM(Metal-Insulator-Metal)电容MIM电容被称为极板电容，电容值较精确，电容值不会随偏压变化而变化。是Mn和Mn-1(版图金属层数)金属构成的，利用上下层金属间的电容构成。电容值可以用上级板面积*单位容值来进行估算，上
驱动程序开发：多点电容触摸屏一、编写驱动前的知识准备1、CST340触摸屏芯片寄存器2、CST340触摸屏的硬件原理图3、电容触摸屏驱动是由几种linux驱动框架组成的4、linux多点电容触摸的(Multi-touch，简称MT)协议二、驱动程序的编写1、修改设备树2、驱动程序编写3、驱动运行测试4、将驱动添加到内核中三、tslib移植一、编写驱动前的知识准备 这里我要吐槽一下正点原子的触摸屏了，本人使用的是正点原子的7寸触摸屏，万万没想到的是他们家的7寸触摸屏使用过多款的触摸屏芯片，正是这个“因”，导致我在做触摸屏裸机实验时使用FT5426触摸屏芯片的驱动程序可以完整正确运行，但到了使用
驱动程序开发：多点电容触摸屏一、编写驱动前的知识准备1、CST340触摸屏芯片寄存器2、CST340触摸屏的硬件原理图3、电容触摸屏驱动是由几种linux驱动框架组成的4、linux多点电容触摸的(Multi-touch，简称MT)协议二、驱动程序的编写1、修改设备树2、驱动程序编写3、驱动运行测试4、将驱动添加到内核中三、tslib移植一、编写驱动前的知识准备 这里我要吐槽一下正点原子的触摸屏了，本人使用的是正点原子的7寸触摸屏，万万没想到的是他们家的7寸触摸屏使用过多款的触摸屏芯片，正是这个“因”，导致我在做触摸屏裸机实验时使用FT5426触摸屏芯片的驱动程序可以完整正确运行，但到了使用
输出电容值的选择有三个考虑因素。输出电容决定了BUCK环路的极点、输出电压纹波以及调节器对负载电流阶跃的响应。输出电容需要根据这三个标准中最严格的标准来选择。图1输出电压动态响应负载电流向上阶跃时，输出电容需要提供增加的负载电流，直到变换器响应阶跃电流。对于从空载到满载的阶跃电流，变换器的响应会比较慢，一般需要两个或两个以上的开关周期才能让控制回路感应到输出电压的变化，并调整开关电流来响应更高的负载。所以输出电容必须能供给电流变化两个开关周期，以维持输出电压的稳定。由电容的伏安关系可有:电容电流的需要输出2个到3个周期，可得到下冲电压的最小电容选择公式:ΔIOUT是输出电流的变化量，FSW为开
输出电容值的选择有三个考虑因素。输出电容决定了BUCK环路的极点、输出电压纹波以及调节器对负载电流阶跃的响应。输出电容需要根据这三个标准中最严格的标准来选择。图1输出电压动态响应负载电流向上阶跃时，输出电容需要提供增加的负载电流，直到变换器响应阶跃电流。对于从空载到满载的阶跃电流，变换器的响应会比较慢，一般需要两个或两个以上的开关周期才能让控制回路感应到输出电压的变化，并调整开关电流来响应更高的负载。所以输出电容必须能供给电流变化两个开关周期，以维持输出电压的稳定。由电容的伏安关系可有:电容电流的需要输出2个到3个周期，可得到下冲电压的最小电容选择公式:ΔIOUT是输出电流的变化量，FSW为开
电容直流充、放电绘制里一个如下的电容充放电电路充电开关闭合，放电开关断开，对电容进行充电充电时间控制开关设置如下（非周期信号）充电开关断开，放电开关闭合，电容放电放电时间控制开关设置如下（非周期信号）充放电过程电容上的电压、电流随时间变化的曲线如下图所示:时间常数:τ=RC可以看到：充电过程和放电过程电阻R1上都有电流流过，只不过方向相反。充电完成后，电容两端电压为5V,直流电源电压也为5V,形成了等电位点，中间不再有电流流动。此时可以把充了电的电容理解为一个电池，如下图所示，两边等电位，电阻上无电流。说明电容具有隔开直流电流的作用，即电容器具有隔直的作用电容交流充、放电搭建一下电路正半轴充电
电容直流充、放电绘制里一个如下的电容充放电电路充电开关闭合，放电开关断开，对电容进行充电充电时间控制开关设置如下（非周期信号）充电开关断开，放电开关闭合，电容放电放电时间控制开关设置如下（非周期信号）充放电过程电容上的电压、电流随时间变化的曲线如下图所示:时间常数:τ=RC可以看到：充电过程和放电过程电阻R1上都有电流流过，只不过方向相反。充电完成后，电容两端电压为5V,直流电源电压也为5V,形成了等电位点，中间不再有电流流动。此时可以把充了电的电容理解为一个电池，如下图所示，两边等电位，电阻上无电流。说明电容具有隔开直流电流的作用，即电容器具有隔直的作用电容交流充、放电搭建一下电路正半轴充电
这是瓷介电容器（CC），又分1类（NPO、CCG）；2类（X7R、2X1）和3类（Y5V、2F4）涤纶电容器（CL），常用的型号有CL11、CL21等系列聚苯乙烯电容器（CB），有箔式和金属化式两种聚丙烯电容器（CBB），有非密封式和密封式两种独石电容器，超小型电容器云母电容器（CY），工作电压高（50V~7kV）纸介电容器（CZ），体积大、稳定性较差金属化纸介电容器（CJ），击穿后能自愈能力强铝电解电容器（CD）结构，存放时间长容易失效钽电解电容器（CA），有箔式和钽粉烧结式云母微调电容器（CY），电容量均可以反复调节瓷介微调电容器（CC），体积小，可反复调节薄膜微调电容器结构，体积小，重量
这是瓷介电容器（CC），又分1类（NPO、CCG）；2类（X7R、2X1）和3类（Y5V、2F4）涤纶电容器（CL），常用的型号有CL11、CL21等系列聚苯乙烯电容器（CB），有箔式和金属化式两种聚丙烯电容器（CBB），有非密封式和密封式两种独石电容器，超小型电容器云母电容器（CY），工作电压高（50V~7kV）纸介电容器（CZ），体积大、稳定性较差金属化纸介电容器（CJ），击穿后能自愈能力强铝电解电容器（CD）结构，存放时间长容易失效钽电解电容器（CA），有箔式和钽粉烧结式云母微调电容器（CY），电容量均可以反复调节瓷介微调电容器（CC），体积小，可反复调节薄膜微调电容器结构，体积小，重量
