最近一个项目对TYPE-C识别有特殊设计，需要在USB插入时和拔出时对两路CC上拉电源做延时1s上电或关断。如果不做延时，有可能导致USB识别失败。通过测试用以下两个电路可以满足要求。 图1的延时时间通过C250,C251,R90来调整，VBUS断开后利用C250,C251储存的电压，来给Q2的栅极提供高电平，使Q2暂时无法导通。随着C250,C251的电压逐渐降低，Q2的VGS满足Q2导通，VCC4V0_D有电压。D6用于防止C250上的电压通过其他电路泄掉。图2的延时时间通过C252,C253，R83来调整。VBUS接通时，由于电容C252,C253两端的电平无法突变，所以上电瞬间Q11的
MOS管MOS管的英文全称叫MOSFET(MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor)，即金属氧化物半导体型场效应管，属于场效应晶体管中的绝缘栅型。MOS管是场效应管的一种。在一般电子电路中，MOS管通常被用于放大电路或开关电路。MOS管分耗尽型和增强型的，区别在于耗尽型是常闭，加电压时截止，而增强型是常开，加电压时导通。日常我们看到的NMOS、PMOS多为增强型MOS管；其中，PMOS可以很方便地用作高端驱动。不过PMOS由于存在导通电阻大、价格贵、替换种类少等问题，在高端驱动中，通常还是使用NMOS替代，这也是市面上无论是应用还是产品种类，增强
MOS管MOS管的英文全称叫MOSFET(MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor)，即金属氧化物半导体型场效应管，属于场效应晶体管中的绝缘栅型。MOS管是场效应管的一种。在一般电子电路中，MOS管通常被用于放大电路或开关电路。MOS管分耗尽型和增强型的，区别在于耗尽型是常闭，加电压时截止，而增强型是常开，加电压时导通。日常我们看到的NMOS、PMOS多为增强型MOS管；其中，PMOS可以很方便地用作高端驱动。不过PMOS由于存在导通电阻大、价格贵、替换种类少等问题，在高端驱动中，通常还是使用NMOS替代，这也是市面上无论是应用还是产品种类，增强
一、管脚说明G极(gate)—栅极“G”应该很好辨认S极(source)—源极跟箭头所在的线连接的是“S”D极(drain)—漏极孤零零一根的是“D”二、管子类型识别箭头向里的是---------N管箭头向外的是---------P管记忆方法：跟三极管正好相反三、导通条件1、N管导通时要求VGS>0，即VG-VS>0,至于VG-VS到底等于多少才能保证MOS管导通，则需要查询MOS管的手册根据参数VGth而定，导通时电流方向由D->S。如下图KS1206B参数手册所示同时手册还规定了VGS的范围，如下图所示2、P管导通时要求VGSD。如下图2N6804参数手册所示。2N6804VGS的范围，如
【若依后管框架(前后端分离版)】如何添加自己的功能模块以及菜单【文章开始之前，先说一句，若依牛逼！】文章目录【若依后管框架(前后端分离版)】如何添加自己的功能模块以及菜单1若依框架简介2若依框架【前后端分离版】下载安装运行2.1运行系统环境需求2.2源码下载2.3数据源准备2.4运行项目3添加自己的功能模块3.1准备数据源3.2使用若依代码生成器生成菜单以及接口、页面3.3后端添加代码模块3.4添加生成的代码到项目中4测试功能4.1增4.2删4.3改4.4查1若依框架简介RuoYi-Vue是一个JavaEE企业级快速开发平台，基于经典技术组合（SpringBoot、SpringSecurity
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1、背景简介vROPs是Vmware开发的，面向IT管理员的，集监控、分析、告警等多功能合一的管理平台。它功能强大，不仅能整合运维自家的多个产品，如vSphere、vSAN、NSX等等，还有不少软硬件厂商能和它集成交互，可以称得上是运维利器。VMwarevRealizeOperationsManager可以通过预测分析和智能警示主动识别和解决新出现的问题，从而确保应用程序和基础架构的最佳性能和可用性，能够在一个位置跨应用程序、存储和网络设备进行全面监控。此外，vRealizeOperationsManager还通过预安装并且可自定义的策略简化了关键过程，同时保持完全控制，从而提高了效率。2、安
一、MOS管栅极串联电阻作用：我们经常看到，在电源电路中，功率MOS管的G极经常会串联一个小电阻，几欧姆到几十欧姆不等，那么这个电阻用什么作用呢？ 如上图开关电源，G串联电阻R13这个电阻的作用有2个作用：限制G极电流，抑制振荡。1、限制G极电流MOS管是由电压驱动的，是以G级电流很小，但是因为寄生电容的存在，在MOS管打开或关闭的时候，因为要对电容进行充放电，所以瞬间电流还是比较大的。特别是在开关电源中，MOS管频繁的开启和关闭，那么就要更要考虑这个带来的影响了。当开启mos管为结电容充电瞬间，驱动电路电压源近似短接到地，当驱动电路电压源等价电源内阻较小时，存在过流烧毁驱动（可能是三态门、
该模拟试题来源于安考星公众号1、爆炸品仓库应为单层建筑,周围不宜装设避雷针。正确答案：正确2、有毒品不溶于水时,人体的中毒可能性就很小。正确答案：错误参考解析：中毒的途径有三种：呼吸道、消化道和皮肤。有毒品不溶于水时，人体的中毒可能性仍然较大。3、材料的强度性能不是一成不变的,而是随着温度、加工方法、热处理工艺的改变而改变。正确答案：正确参考解析：材料强度指材料在不同影响因素下的各种力学性能指标。影响因素包括材料的化学成分、加工工艺、热处理制度、应力状态，载荷性质、加载速率、温度和介质等。4、气瓶是一种贮运容器,它的最高压力决定于它的充装量和最高使用温度。正确答案：正确参考解析：对于盛装永久气
在使用AltiumDesigner20创建元件库时，对于管脚较多的元件可采用批量放置的操作以节省时间，具体操作如下：1.首先放置第1个管脚，选中该管脚并Ctrl+C将其复制。2.点击编辑(E)->阵列式粘贴(Y)，弹出如下界面。参数说明：其中对象数量为需要插入管脚数（不包含管脚1），主增量为新插入管脚的管脚号递增数目，次增量为新插入管脚的管脚名递增数目，间距中的水平的与垂直的为新插入管脚的排列方向，单位为各管脚间的距离。注：间距100mil前的符号用于调整新插入管脚标号的升序与降序，本例中负号为垂直向下方向升序排列。3.点击确定后放置管脚如下图所示。
