经常看到有文章说MOS管的导通电阻是正温度特性，阈值电压是负温度特性，但是一直不清楚具体的原理。本文就详细讲讲MOS管导通电阻正温度特性。  首先分别找一份PMOS和一份NMOS的datasheet，看下导通电阻的正温度特性，阈值电压的负温度特性是什么样的。  下面两张图分别PMOS的导通电阻与阈值电压随温度变化的曲线。  下面两张图分别NMOS的导通电阻与阈值电压随温度变化的曲线。  可以看出，不管是NMOS还是PMOS，导通电阻RDS（on）都随着温度的升高而增大，阈值电压绝对值都随温度的升高而降低。  MOS管的导通电阻与其中的载流子迁移率有关，载流子迁移率越慢，导通电阻越大。  M

@目录1.惠斯通电桥原理惠斯通电桥各个臂上电阻变化时，计算过程如下图所示：单个臂变化时δV=1/4(δR/R)两个臂变化时δV=1/2(δR/R)四个臂变化时δV=δR/R多臂变化时，R1、R3同步增减；R2、R4同步增减1.1应变片电阻应变片的工作原理是基于应变效应制作的，即导体或半导体材料在外界力的作用下产生机械变形时，其电阻值相应的发生变化，这种现象称为“应变效应”。半导体应变片是用半导体材料制成的，其工作原理是基于半导体材料的压阻效应。压阻效应是指当半导体材料某一轴向受外力作用时，其电阻率发生变化的现象。应变片是由敏感栅等构成用于测量应变的元件，使用时将其牢固地粘贴在构件的测点上，构件

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精神小伙终于实现了固态硬盘自由，通电瞬间火光四射烟雾缭绕为哪般?正所谓一通操作猛如虎，电源硬盘全带走。固态硬盘不能闭着眼乱买，不仅要清楚自己的主板是用的是哪种接口，安装时更要具备一定的硬件知识和靠谱的动手能力。更不要相信大力出奇迹，不然轻则设备无法识别，重则接口灰飞烟灭。现在最常用的固态硬盘接口为SATA和M.2接口，不仅外观差别较大，速率更可能会有五六倍的差距，这是因为接口带宽也是制约固态硬盘性能的重要因素。除了SATA和M.2，回望二十年，固态硬盘接口形式远比你想象的要“缤纷”，下面我们就来个编年史般的大回顾。IDE(PATA)接口主流观点都认为SATA是最早固态硬盘接口类型，但实际上实用

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