MOS管等效模型:电压控制(输入端G是电容);负载端D-S是小电阻,大电流时损耗小。
三级管等效模型:电流控制(输入端G是电阻);负载端是二极管,大电流时损耗大。
| 输入端-控制 | 输出端-功耗 | |
|---|---|---|
| MOS管 | 电压控制(输入端G是电容) | 负载端D-S是小电阻,大电流时损耗小。 |
| 三极管 | 电流控制(输入端G是电阻)Ic-b = β x Ib | 负载端是二极管,大电流时损耗大。 |

辅助记忆: 放P,气体向外=箭头朝外。所以左边的时PMOS,G靠近S端

PMOS 负极性控制-负电压 or 0电压导通
NMOS 正极性控制-正电压导通

PMOS的G道济
记住S-D之间二极管的正向对正电压
打开条件Vg>Vs+Vgs≈5+4 = 9V。
PMOS电路-左图:
NMOS电路-右图:


MOS的D与S的方向性,小二极管的负极对正电压。

重要参数
| 参数名 | 典型值 | 作用 |
|---|---|---|
| Vgsth(Gate Threshold Voltage) | 2-4V | 开启条件:G-S间的电压要大于改值 |
| Rdon(Static Drain to Source On-Resistance) | 0.2Ω | 导通时G-D间等效电阻 |
| Cgs() |
由于工艺问题,NMOS的性能,价格,数量都优于PMOS。

PMOS等效模型:通过Vgs控制Rds大小

扔掉教科书 5分钟带你入门MOS管
文档是根据视频整理的,视频里还说了很多有用的内容,方便大家理解、了解MOS管知识,。
本文是简单的归纳总结,方便查阅。
感谢孙老师能把硬件知识说的这么清楚、仔细。
P/N MOS管防电源反接电路详解-KIA MOS管
电平转换针对的是两个或者两个以上的CPU之间的通讯需要进行的一种转换技术,两个CPU如果供电电压不一样,比如一个是1.2V,另一个是3.3V,那么在电平不匹配的情况下工作,会造成信号传输出错;如果二者电压相差较大,严重的可能会损坏芯片。今天给大家介绍如何用一颗三极管实现的电平转换。方案一如图其中IN为低压系统,OUT为高压系统,以3.3V和5V举例,当IN端为3.3V高电平时,Q2三极管Ube电压差小于0.7V,Ub当IN端为0V低电平时,Q2三极管Ube电压差大于0.7V,Ub>Uc,Q2三极管导通,OUT端电压等于IN端,也为0V;由此实现3.3V至5V的电平转换。当然,我们也可以将三极管
一、问题来源在观看清华大学华成英老师模拟电子技术基础课中,三极管的饱和区是一笔带过,对应的课本教材也没有做充分的解释说明,对于初学者在概念和三极管微观上的理解不是很友好。二、问题点1、三极管的饱和区,饱和指的是什么?三、问题分析首先说下结论:教材上和老师说的,饱和区状态发射结正偏,集电极正偏。饱和过程问题导致很多人理解不了。饱和状态到底是什么饱和?怎么样是饱和的?饱和的微观过程是什么?我们以NPN型共射极放大电路为例说明这个状态 在谈论三极管饱和的时候,不能离开负载电阻。以上图为例,,随着增大,减小,当已经很难继续增大,就说这个状态为饱和状态。当然,如果继续增大,会使再减小,例如降到0.3V(
文章目录前言一、三极管输入/输出特性曲线1.输入特性曲线2.输出特性曲线二、三极管稳压电路及原理解析1.三极管串联稳压电路2.稳压原理解析总结参考前言这段时间在工作中接触到了基于三极管、稳压二极管实现降压稳压的电路。在熟悉电路和阅读文章的时候,发现不少文章对于三极管线性稳压电路的原理介绍得不太详细、不太正确的问题。本文首先介绍了三极管的输入/输出特性曲线,并在此基础之上利用Multisim搭建了三极管稳压电路,最后对所搭建的稳压电路进行了原理解析。一、三极管输入/输出特性曲线1.输入特性曲线当三极管共射极连接,集电极与发射极之间的电压UCEU_{CE}UCE维持在不同的电压时,反映UBEU_
直流电机简介直流电机,即通上直流电,就可以旋转的电动机。由于电机的线圈绕组会频繁的换向,换向碳刷或铜片与线圈接触处会有火花,这种电机工作起来会有较大的电磁干扰,对电源来说,也会带来尖峰毛刺。三极管驱动电路有人会说了,为啥不用MOS管或IC驱动?这篇文章是讲三极管的,当然就用三极管了嘛。电机参数:12V0.1A三极管选型背景知识这里有2个背景知识,知识1:直流电机工作的时候,尖峰脉冲会有3-5倍电源电压的的尖峰脉冲,如果电源内阻比较大,那么这个电压就会更大程度的影响电源的供电。当然我们会有一些办法来削减这个尖峰,但三极管的耐压绝对不能仅仅是略大于12V,而是要2到3倍于这个值才会比较可靠。知识2
三极管驱动LED电路用NPN、PNP三极管搭建LED控制电路,并说明控制信号高低电平对应的LED亮和灭?T1是NPN型三极管,R2是LED限流电阻,R1是基极电阻,J1是控制信号,原理如下:J1高电平,三极管导通,LED亮;J1低电平,三极管截止,LED灭;T2是PNP型三极管,R3是LED限流电阻,R4是基极电阻,J2是控制信号,原理如下:J2高电平,三极管截止,LED灭;J2低电平,三极管导通,LED亮;NPN驱动电路中电流计算:三极管饱和导通时,Vce=0V,所以Rc=(5V-2V)/10mA=300Ω。查询芯片手册,三极管MMBT3904的的放大倍数β(hfe)如下图所示:可以看到,在
用作开关时三极管的状态三极管被用作开关时,应使其关闭时工作在截止区,此时几乎无电流通过,处于断电状态;开启时工作在饱和区,饱和区时三极管压降很小,相当于电路接通。截止区对于NPN三极管来说,截止即意味着Vbe(0.3V)小于Vth(约为1.2V),此时三极管集电极和发射极之间相当于是彻底断开,电阻为无穷大,所以此时电压全部在三极管上,且因为没有导通,所以无论是基极还是集电极和发射极都是没有电流的。此时正对应着开关中的关闭状态,只要控制给基极施加的电压使Vbe小于Vth,便可以实现集电极和发射极的断开。饱和区对于NPN三极管来说,饱和意味着Vbe(3.3V)大于Vth(约为1.2V),并且当基极
用作开关时三极管的状态三极管被用作开关时,应使其关闭时工作在截止区,此时几乎无电流通过,处于断电状态;开启时工作在饱和区,饱和区时三极管压降很小,相当于电路接通。截止区对于NPN三极管来说,截止即意味着Vbe(0.3V)小于Vth(约为1.2V),此时三极管集电极和发射极之间相当于是彻底断开,电阻为无穷大,所以此时电压全部在三极管上,且因为没有导通,所以无论是基极还是集电极和发射极都是没有电流的。此时正对应着开关中的关闭状态,只要控制给基极施加的电压使Vbe小于Vth,便可以实现集电极和发射极的断开。饱和区对于NPN三极管来说,饱和意味着Vbe(3.3V)大于Vth(约为1.2V),并且当基极
晶体管是一个简单的元器件,可用于构建许多有趣的项目。在本文中,我将用通俗易懂的语言给您讲解晶体管的工作原理,以便您可以在电路设计中更好的使用静态管。一旦你学习这些基础知识,对以后的设计和使用来说,将会变得非常容易。我们将重点介绍两种最常见的晶体管:双极型晶体管(三极管)和MOSFET。晶体管的工作原理其实是类似于电子开关。它可以打开和关闭电路。一个简单的思考方法是将晶体管视为无源的继电器。晶体管类似于继电器,从某种意义上说,您可以使用它来打开和关闭某些东西。但晶体管也可以部分导通,一般在放大电路中使用,这部分内容不是本文讲解的重点。三极管的工作原理(BJT)让我们从经典的NPN三极管开始。它是
晶体管是一个简单的元器件,可用于构建许多有趣的项目。在本文中,我将用通俗易懂的语言给您讲解晶体管的工作原理,以便您可以在电路设计中更好的使用静态管。一旦你学习这些基础知识,对以后的设计和使用来说,将会变得非常容易。我们将重点介绍两种最常见的晶体管:双极型晶体管(三极管)和MOSFET。晶体管的工作原理其实是类似于电子开关。它可以打开和关闭电路。一个简单的思考方法是将晶体管视为无源的继电器。晶体管类似于继电器,从某种意义上说,您可以使用它来打开和关闭某些东西。但晶体管也可以部分导通,一般在放大电路中使用,这部分内容不是本文讲解的重点。三极管的工作原理(BJT)让我们从经典的NPN三极管开始。它是
最近偶然看到PMOS防反接电路,感觉挺实用的,做个记录。软件:LTspice二极管串联以常用的5V/2A为例。常用二极管串联在电路中,在电源反接时,二极管承担所有的电压,有效防止电源反接损坏后级设备。但是,二极管上压降较大,损耗较高。使用肖特基二极管可以减小损耗,但是仍对电路有较大影响,特别是在电源电压更低的情况下。反并二极管+保险丝使用反并二极管+保险丝,正常运行时基本没有损耗。在电源反接时,电源侧接近短路,保险丝熔断,从而实现保护。反接发生后,二极管和保险丝一般都需要更换。并且,输入反接时产生一个负压,后级设备还是有可能损坏。PMOS防反接电路基本电路基本的PMOS防反接电路,利用PMOS