1.SYSTEM:注释体系以说明；一旦写了不可写错，比如说写成了 RYSTEM，那么可能计算出的能量全是正值
2.ISTART:如果计算目录中由WAVECAR文件，则默认值为1，否则为0。决定是否读入WAVECAR
0：开始新的计算，按INIWAV初始化波函数
1：接着计算，读取已有的WAVECAR，用于电子结构计算
2：接着计算，用于希望保持基矢不变的计算
3：接着计算，读入上一次计算得到的电荷密度和波函数，不推荐用
3.ICHARG:若ISTART=0，则默认值为2，否则为0，决定如何构造初始电荷密度
0：从初始波函数构造
1：从CHGCAR读入，并同原子密度进行线性插值
2：构造原子电子密度线性组合，初始的电子密度由赝势来决定
11：读入自洽的CHGCAR，并进行能带计算或态密度的非自洽计算
12：非自洽的原子密度计算
ISTART和ICHARG：分别定义了初始的波函数和电荷密度、读入上一次的波函数和电荷密度
推荐做法：
进行能带结构性质的计算时：ISTART=1 ,ICHARG=11
其他情况（比如结构优化和静态计算）：ISTART=0 ,ICHARG=2。
静态计算和计算态密度时可以设置成ISTART=1 ,ICHARG=1，节省核时。
4.PREC
确定计算精度，可设为Low, Med, High, Normal, Single, Accurate
默认值Med, 一般Normal就够了，Accurate精度最高，我一般使用。
5.NELM:允许电子迭代得到最大步数,默认值60
6.EDIFF:电子自洽收敛标准参数，默认值1E-5。笔者一般使用1E-6.
7.ENCUT:确定平面波截断能，默认值从POTCAR中读入单位eV，一般为 POTCAR 中 ENMAX 参数值的 1.0 到 1.3 倍。一般设置为500.
8.ALGO:确定电子优化的算法：
Normal: ALGO=38，blocked Davidson方法
VeryFast: ALGO=48，RMM-DIIS算法
Fast:上面两种算法混合使用
9.ADDGRID:增加网格，帮助GAA收敛，一般结构优化（.FALSE） 电子结构高精度（.TURE）
10.LDIPOL:偶极校正，打开（.TURE）
11IDIPOL:1,2,3分别代表在X,Y,Z方向上进行校正，4代表在所有方向上进行校正
12.ISYM:是否打开对称性，0=不打开，2=使用一种高效节省内存的电荷密度对称性，3=仅考虑应力张力对称性，电荷密度非对称
13.ISIF：决定是否计算应力以及如何对结构进行优化。当IBRION=0时，默认值为0，否则为2。
14.NSW:原子弛豫的最大步数（IBRION=1、2）和分子动力学的步数（IBRION=0），默认值为0。在每一部步内，电子进行自洽计算，并精确计算原子所受的H-F力和应力。
15.EDIFFG:原子弛豫收敛的标准，默认值为EDIFF*10。若值为正则前后两次总自由能只差小于EDIFFG,原子停止弛豫；若为负，则源自所受的最大的力小于EDIFFG的绝对值,原子停止弛豫。
16.SMASS:确定分子动力学中原子的速度，默认值为-3。
-3：微正则系综（总的自由能守恒）
-2：保持初始速度不变，计算体系总能随原子位置的变化情况
-1：在每NBLOCK步之后对初始速度进行放缩
0或者>0，正则系统，对温度进行Nose调控
TEBEG：分子动力学模拟时的初始温度，默认为0。
TEEND: 分子动力学模拟时的末态温度，默认为TEBEG。
PSTRESS：设置加到体系的应力张量上的应力大小。
smearing方法和参数
确定smearing方法ISMEAR和展宽SIGMA的参数，默认为1和0.2，决定了如何确定每个波函数的占有数。
17.ISMEAR赋值：
-1：fermi smearing 方法
0：Gaussian smearing方法（氧化物，半导体）
-2：在INCAR中通过FERWE和FERD0关键词手动设置
-3：采用一个循环的计算来确定smearing的参数，在每一步中的smearing设置通过SMEARINGS=smearing1 smearing2 smearing3…来设置。此时IBRION=-1,NSW设置为SMEARINGS的值的个数
-4：没有Bloch修正的四面体方法
-5：有Bloch修正的四面体方法
*结构呈现金属性时，取ISMEAR=1和2，以及设一个合适的SIGMA值，一般结果相同。
无论何种体系计算何种性质取ISMEAR=0以及设一个合适的SIGMA值都能得到合理结果。
在除金属以外的体系进行任何静态或者态密度计算，取ISMEAR=-4或-5，要求k点数目必须大于3。
18.SIGMA：展宽。如果用了ISMEAR = -5 ， 可以忽略，需要注释掉。
对于金属：ISMEAR = 1 ；非金属：ISMEAR = 0 的时候，一般取0.15或者采用默认值 0.20 即可.
对于气体分子，原子体系，ISMEAR = 0; SIGMA = 0.01（标配）
计算态密度相关参数
18.EMIN和EMAX：计算态密度时的能量范围
19.NEDOS:DOS点的个数
20.LORBIT:控制非自洽计算的形式
21.NBANDS：给出计算中实际的总能带数，通常在非自洽计算过程中需要用到，可以在非自洽计算之前的自洽计算OUTCAR或EIGENVAL文件中读取。
磁性计算
22.ISPIN:确定是否进行自旋极化的计算，默认值为1，表示不进行自旋计算，为2表示进行自旋计算。
23.MAGMOM：每类原子的初始磁矩，默认值为Nion*磁矩
24.VOSKOWM：确定交换关联函数的关联部分是否采用Vosko-Wilk-Nusair内插方法。默认值为0。一般用在自旋极化GGA的计算中，设置为1。
25LREAL:确定投影算法是否在实空间或倒空间计算。默认值为.FALSE.,可设置为.FALSE./.TURE./On/Auto
26.LWAVE:确定是否在WAVECAR文件中输出波函数，默认为.TURE.
27.LCHARG:确定是否在CHGCAR和CHG中输出电荷密度，默认值为.TURE.
28.LDAU:控制计算中是否考虑在位库伦校正相，即+U，打开设置为TURE
29.LDAUTYPE:具体加U方法1/2/4，取2默认
30.LDAUL:控制具体在哪个角量子数l轨道上加U；-1—不加，1—对p轨道加U，2—对d轨道加U, 3—对f轨道加U
LDAUU:U1,U2,…制定有效在位库伦相互作用的参数
LDAUJ:j1,j2,…指定有效在位交换相互作用的参数
注意：LDAU，DAUU,LDAUJ这三个参数必须对体系中所有源自都要定义，包括加U和不加U的原子。
四个输入文件中元素的顺序都要一一对应
31LHFCALC:确定是否进行杂化计算。取值：.TURE./.FALSE.
32HFSCREEN:选择HSE06泛函。
33LMAXFOCK:杂化计算中角动量最大数目，取值为整数，默认值为4.
34PRECFOCK:Fast/Normal/Accurate需要计算速度快一点时选择Fast，如果要求能量和力非常精确，可选择Normal和Accurate
INCAR——模板
SYSTEM= xxx 计算体系命名
NPAR=4
## Start parameter for this run
ISTART=0 0-从新计算（优化和静态自洽）；1-继续计算（复制CHG*文件，非静态自洽）
ICHARG=2 从原子中读取的charge
PREC=Normal 计算精度
LREAL=.F. 投影操作方式：.FALSE.-倒空间，.TRUE.-实空间，Auto-实空间自动
## Write flags
LWAVE = .TRUE.
LCHARG = .TRUE.
LORBIT = 11
## Ionic relaxation 离子弛豫部分：
IBRION=2 默认-1-静态自洽；2-CG算法的离子弛豫；
ISIF=2 只进行原子弛豫
NSW=10 离子运动的步数
EDIFFG=-1E-2 离子弛豫中力的收敛条件
## Electronic Relaxation 电子自洽部分：
ENCUT=500 平面波基的截断能
#ISPIN=2 考虑自旋极化与否 1-非自旋极化；2-自旋极化
NELM=60 默认值，电子迭代最多为60步
EDIFF=1E-06 相邻两电子迭代的能量差收敛标准
## DOS related values
ISMEAR=1 Methfessel-Paxton积分方法
SIGMA=0.15 积分展宽
## vdW correction
IVDW = 0
结构优化只要这三部分
磁性体系的计算需要打开自旋ISPIN=2，初始磁矩MAGMOM=原子数*初始磁矩
以铜为例，铜的静态计算INCAR：
SYSTEM = Cu
NPAR = 4
## Start parameter for this run
PREC = Accurate
ISTART = 0
ICHARG = 2
## Write flags
LWAVE = .TRUE.
LCHARG = .TRUE.
LORBIT = 11
## Electronic Relaxation
ENCUT = 500
NELM = 60
EDIFF = 1E-6
LREAL = .FALSE.
## Ionic relaxation
EDIFFG = -0.01
NSW = 10
IBRION = 2
ISIF = 3
## DOS related values
ISMEAR = 1
SIGMA = 0.15
## vdW correction
IVDW = 0
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