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推理性能超H100十倍!21岁华裔小哥哈佛辍学开发AI加速芯片「Sohu」,2人公司估值3400万刀

像Pika一样的神级创业故事又要再次上演了?两位哈佛退学的年轻人,想要制造一款专用于大语言模型加速的AI加速器芯片,将于2024年第三季度交付,推理性能达H100的10倍。在今年6月份,两位创始人GavinUberti和ChrisZhu创立了Etched.ai,获得了包括Ebay前CEODevinWenig在内一众风投机构的536万美元的种子轮投资。公司估值更是高达3400万美元!根据公司官网上放出的数据,这款芯片将在硬件层面上集成Transformer构架,将推理速度相比于英伟达H100提升了8-10倍!他们将第一款LLM加速芯片命名为「Sohu」,号称可以在毫秒级别的时间里处理数千个单词。

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performance - 为什么 sync.Mutex 在 goroutine 争用超过 3400 时会大幅降低性能?

我正在比较有关sync.Mutex和Gochannel的性能。这是我的基准://goplayground:https://play.golang.org/p/f_u9jHBq_Jcconst(start=300//actual=start*goprocsend=600//actual=end*goprocsstep=10)vargoprocs=runtime.GOMAXPROCS(0)//8//https://perf.golang.org/search?q=upload:20190819.3funcBenchmarkChanWrite(b*testing.B){varvint64ch

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ASEMI场效应管AO3400概述,AO3400参数,AO3400特性曲线

编辑-ZAO3400结合先进的沟槽MOSFET技术和低电阻封装,提供极低的RDS(ON),适用于负载开关或在PWM应用。下面分别介绍一下ASEMI场效应管AO3400概述,AO3400参数,AO3400特性曲线。AO3400概述30VN沟道MOSFETVds30VId(Vgs=10v情况下)5.8ARds(ON)(Vgs=10v情况下)Rds(ON)(Vgs=4.5v情况下)Rds(ON)(Vgs=2.5v情况下) AO3400参数描述型号:AO3400封装:SOT-23电性参数:5.8A30V漏源电压(Vds):30v栅源电压(Vgs):±12v连续漏极电流(Id25°C):5.8A连续漏极