电子技术——BJT的小信号模型本节我们学习BJT的小信号模型。集电极电流和互导系数下图是我们主要研究的原理图：首先基极电压的表达式为：vBE=VBE+vbev_{BE}=V_{BE}+v_{be}vBE​=VBE​+vbe​对应的集电极电流为：iC=ISevBE/VT=ISe(VBE+vbe)/VT=ISeVBE/VTevbe/VT=ICevbe/VTi_C=I_Se^{v_{BE}/V_T}=I_Se^{(V_{BE}+v_{be})/V_T}=I_Se^{V_{BE}/V_T}e^{v_{be}/V_T}=I_Ce^{v_{be}/V_T}iC​=IS​evBE​/VT​=IS​e(VBE

目录1、NPN和PNP2、BJT的工作机理3、从放大到饱和4、通用三级管的参数4.1电压参数4.2电流参数4.3损耗参数参考资料：上节我们知道PN结半导体具有单相导电的性能，但是由PN结构成的各种二极管（Diode）器件的单相导电性是没办法进行主动控制的，因此这类器件也称为被动器件。与其对应的是能够被主动控制通断的器件，这类器件也可以称为主动器件。这种主动器件一般我们统称为晶体管（Tansistor），晶体管可以分为以下三类：流控器件BJTs，压控器件FETs，混合结构IGBTs。图1晶体管的分类（来源：TOSHIBASemiconductor）本文主要分析BJT（BipolarJunctio