1.简介专栏总目录ArmSoM团队在产品量产之前都会对产品做几次专业化的功能测试以及性能压力测试，以此来保证产品的质量以及稳定性优秀的产品都要进行多次全方位的功能测试以及性能压力测试才能够经得起市场的检验2.环境介绍硬件环境：ArmSoM-W3RK3588开发板软件版本：OS：ArmSoM-W3Debian113.ArmSoM-W3DDR带宽测试方案rk-msch-probe-for-user是官方提供的用于统计和监控系统DDR的负载和带宽使用情况的工具，可以实时显示当前DDR的负载和带宽信息。使用rk-msch-probe-for-use工具统计和监控系统DDR的负载和带宽使用情况4.DDR
上篇博客，我们了解了SDRAM的控制命令以及寻址方式，SDRAM芯片需要配合专门的控制电路使用才能发挥功能，这一节我们将一步步分析，使用Verilog搭建一个SDRAM驱动控制器。目录 学习目标 问题分析初始化模块信息收集模块接口确定 状态机设计仿真测试Modelsim仿真： 学习目标搭建SDRAM控制器，能读，能写，并且可以自动初始化以及自动刷新。学习分析问题和使用Verilog解决问题的方法。 问题分析 数字系统自顶向下的的设计原则，我们首先可以分析目标中的功能。不难看出SDRAM控制器应该包含以下模块：初始化模块读控制模块写控制模块 自动刷新模块
1.sdram基本概念SDRAM英文全称“SynchronousDynamicRandomAccessMemory”，译为“同步动态随机存取内存”或“同步动态随机存储器”，是动态随机存储器(DynamicRandomAccessMemory，简称DRAM)家族的一份子。同步(Synchronous)：与通常的异步DRAM不同，SDRAM存在一个同步接口，其工作时钟的时钟频率与对应控制器(CPU/FPGA)的时钟频率相同，并且SDRAM内部的命令发送与数据传输均以此时钟为基准，实现指令或数据的同步操作；动态(Dynamic)：SDRAM需要不断的刷新来保证存储阵列内数据不丢失；随机(Random
写在前面ZYNQ固化时，正常情况下都需要DDR参与，但是有时硬件设计时，可能将DDR去掉或设计出错，这将导致ZYNQ无法正常固化，之前有写过一个使用静态链接库进行无DDR固化的文章，当时那个是压缩了FSBL的相关代码只保留FLASH模式下的功能，对于其他模式可能无法正常使用，本文将无DDR固化的情况进一步进行介绍，讲解如何修改FSBL实现ZYNQ的程序固化，给出一个demo进行演示测试。适用范围不论是之前提到的静态链接库的版本还是本文版本（暂且叫做运行在OCM版本）。都只适合PS端的轻量级代码，PL端无特殊要求，但是PLPS交互部分如果需要太多驱动可能也会超出片上RAM的空间。本工程根本思想就
阅读SDRAM手册的意义并不是为了写SDRAM的控制器，在实际使用中SDRAM基本已经被DDR所取代。但是如果想要了解DDR的工作原理，建议读一遍SDRAM手册和使用VerilogHDL完成SDRAM控制器。原因在于DDR只是SDRAM的升级版本，将单沿采样变成双沿采样，为了达到读写提升效果，在硬件和接口上做了一些优化，但工作本质还是与SDRAM一致。 在工作中很少会让你去写DDR的控制器（除非IP的速率不够或者控制方式达不到目的），大多直接调用IP。我觉得不管使用任何IP，如果知道IP的工作原理，那将事半功倍。如果连硬件原理都不知道，调用IP还要去搞清楚接口时序，真的很难。因为像SDR
怎么通过修改DDR3SPD的值修改VDD？通过修改DDR3SPD中的值来更改VDD并不可行。因为SPD只包含有关内存模块的元数据信息，例如制造商、大小、速度和时序参数等，而内存模块的电压通常由主板和处理器控制。主板和处理器通过内存控制器来管理内存模块的电压和时序设置，这些设置通常由BIOS或UEFI固件配置，而不是通过修改SPD。如果您需要更改内存模块的电压设置，通常需要在BIOS或UEFI固件设置中进行更改。在某些情况下，主板制造商可能会提供特殊的软件工具，以便通过操作系统来更改内存电压和时序设置。但是，任何时候更改电压设置都需要小心谨慎，以确保不会对系统的稳定性和可靠性产生负面影响。2.D
1.简介RK3588从入门到精通ArmSoM团队在产品量产之前都会对产品做几次专业化的功能测试以及性能压力测试，以此来保证产品的质量以及稳定性优秀的产品都要进行多次全方位的功能测试以及性能压力测试才能够经得起市场的检验2.环境介绍硬件环境：ArmSoM-W3RK3588开发板软件版本：OS：ArmSoM-W3Debian113.ArmSoM-W3DDR压力测试方案测试方案：同时对DDR进行三项压力测试：使用memtester工具对DDR进行压力测试使用stressapptest工具对DDR进行压力测试使用RK官方测试脚本进行DDR变频测试4.DDR压力测试测试原理：运行RK官方的DDR压力测试
MemoryInterfaceGenerator(MIG7Series）是Xilinx为7系列器件提供的Memory控制器IP，使用该IP可以很方便地进行DDR3的读写操作。本文主要记录XilinxDDR3MIGIP的仿真过程，包括IP配置和DDR3读写仿真两部分内容。目录1MIGIP配置2DDR3读写仿真1MIGIP配置 在Vivado开发平台IPCatelog中，输入mig，然后选择MemoryInterfaceGenerator(MIG7Series），打开IP向导。 ComponentName可自行定义，这里填写ddr3_controller。 Mem
之前在验证FPGA板卡的芯片管脚时，所用的测试工程使用内部PLL生成的时钟作为DDR3的参考时钟。后来尝试将参考时钟改为外部100M晶振时钟，发现MIGIP配置工具找不到相应管脚，于是学习并梳理了 XilinxDDR3MIGIP时钟管脚的分配规则，在这里做个记录。 目录1MIG时钟输入2时钟管脚分配规则1MIG时钟输入 《ug586_7Series_MIS_v4.2》手册给出了XilinxDDR3MIG控制器IP内部时钟网络，如下图所示。可以看到MIGIP有2个时钟输入，分别是CLKREF 和SYSCK. REFCLK频率为200MHz，输入到MIGIP内部的MMCM，然后选择20
一、介绍StressfulApplicationTest（或stressapptest）试图最大化处理器和I/O到内存的随机流量，目的是创建一个现实的高负载情况。stressapptest可以用于各种目的：压力测试硬件鉴定和调试。内存接口测试。磁盘测试二、移植下载：https://github.com/stressapptest/stressapptest或者https://gitcode.net/mirrors/stressapptest/stressapptest?utm_source=csdn_github_accelerator编译：ubuntu下编译：#1、添加交叉编译工具链到环境变
