根据全球著名的科技市场研究机构IDC的数据，全球信息技术产业有望在2020年达到5.2万亿美元，互联网产业的快速发展，使得IT行业就业薪资持续涨幅。但工作强度、行业竞争、裁员压力以及疫情爆发，使得IT人员的薪酬之路依然崎岖。互联网开发人员面对即将紧缩的下半场，唯有不断提高自己，不断增强自己对新生事物的敏锐和高阶知识的耐心，才能在风雨到来的时候，屹立不到。前端开发者想要提高自己，也需要不断了解新知识，接触行业大牛，看准行业趋势。在TLC大会上，无论你是行业资深开发人员，还是刚入门的小白，都能获得收益。大会简介TLC腾讯直播大会（TencentLiveConference，简称TLC），是由腾讯看

声明主页：元存储的博客_CSDN博客依公开知识及经验整理，如有误请留言。个人辛苦整理，付费内容，禁止转载。内容摘要前言1闪存芯片简介2颗粒类型2.1闪存密度分类2.2SLC、MLC、eMLC和TLC如何选择？2.3如何在电商网站查看SSD闪存类型2.4为什么TLC的性能在三种介质中最差？32DNANDVS3DNAND4颗粒等级前言固态硬盘(SolidStateDrives)，简称

当下无论是SATA还是NVMe固态硬盘都会配备两类缓存技术。其中用于存储闪存映射表的DRAM缓存，在一部分方案中可以通过HMB技术取代其功能，于是成为目前在高性价比固态硬盘产品中更常见的无缓盘。模拟SLC缓存则是几乎所有TLC颗粒的固态硬盘都会采用的策略，意在通过使用一部分容量模拟SLC的1bit存储方式，实现这一部分的快速读写。模拟SLC的容量策略也可分为两类，其一是固定容量，例如总容量1TB的固态硬盘设置100GB的模拟SLC缓存容量，使用者在进行100GB以内的读写时都能够维持满速。另一种策略则是全盘模拟SLC，相当于将一块TLC固态硬盘当做容量为三分之一的SLC固态硬盘使用，能够维持单

TLC2543是一款12位精密模数转换器(ADC)。1~9、11、12——AIN0～AIN10为模拟输入端；15——CS为片选端；17——DIN为串行数据输入端；（控制字输入端，用于选择转换及输出数据格式）16——DOUT为A/D转换结果的三态串行输出端；（A/D转换结果的输出端。）19——EOC为转换结束端；18——CLK为I/O时钟；（控制输入输出的时钟，由外部输入。）14——REF+为正基准电压端；13——REF-为负基准电压端；20——VCC为电源；10——GND为地。/**********************************************************

NAND闪存进入3D时代之后，提高容量的方式主要靠堆栈层数了，2022年几大原厂已将层数提升到232层以上，再下一个目标就是超过300层，而且要继续提高性能，西数、铠侠就公布了相关信息。在2023年的VLSI集成电路会议上，他们将发布最新的研究论文，介绍8平面3D闪存以及堆栈层数可以超过300层的闪存。相比当前的4平面3D闪存，8平面结构可以增加并行性，他们开发出的1Tb3DTLC闪存有210个有源层，IO接口速度达到了3.2GT/s，跟3月份推出的218层堆栈1Tb3DTLC闪存非常相似。这样的结构明显提升了TLC闪存的性能，读取延迟从128层堆栈闪存的56us减少到了40us，速度提升到了