EEPROM是指带电可擦可编程只读存储器。是一种掉电后数据不丢失的存储芯片。本文重点讲解AT24C02的应用（即如何编程实现读写功能，偏软件）文章目录EEPROMEEPROM简介EEPROM发展过程EEPROM分类AT24C02AT24C02简介AT24C02管脚定义及说明I2C协议（针对AT24C02）I2C总线概念I2C总线术语I2C起始和终止条件I2C传输数据（单个字节）I2C总线时序AT24C02特殊时序I2C设备地址（7位）对AT24C02进行读写字节写页写当前地址读选择读（随机读）连续读51单片机控制AT24C02I2C协议代码Proteus小实验EEPROMEEPROM简介EEP
我使用FlashAir开发iOS游戏。能够从您的应用程序中启动浏览器会很好。任何想法将不胜感激!! 最佳答案 您可以使用StageWebView在您的AIR应用程序中打开网页。这是在屏幕右半边(又名舞台)打开页面的示例用法:privatevar_web_view:StageWebView;privatefunctioninit_stagewebview(url:String):void{if(_web_view){thrownewError('init_stagewebview()calledwithexisting_web_vie
基于flash的FPGA的在线升级一、理论1.1在线升级概念在线升级是指通过网络或其他远程方式对软件、固件或系统进行更新和升级的过程。FPGA的在线升级是指在运行时对FPGA芯片中的逻辑配置进行更新或修改，而无需物理更换芯片。一般开发阶段，开发人员常用JTAG对FPGA进行配置，用于工程的功能修改\调试\更新。但当投入为产品时，想要进行FPGA的固件更新，再通过JTAG来配置FPGA显然是比较麻烦的，所以需要在线升级功能。1.2FPGA的配置方式不同型号和系列的FPGA可能会支持不同的配置模式，这里以7系列FPGA为例，其支持以下几种配置方式：图1.17系列fpga配置方式对常用的方式作简介：
未经允许，本文禁止转载目录简介AXIQuadSPIIP设置寄存器说明AXIQuadSPI支持的通用命令读flashid读flash数据擦除扇区写flash数据注意事项简介 本文简要介绍xilinx7系的AXIquadspiIP核的使用，主要用于读写boot用的flash(n25q128为例)做在线升级用。本文会略去很多细节，主要是因为我也没有搞得很懂，其次是很多细节可以在其他博客找到介绍。目前为止，我只尝试了使用axilite接口配置寄存器，对flash读id，读数据，擦除扇区，写数据。后期会学习如何对flash进行分区管理，做升级备份以及针对不同flash加入quad的读写命令提高速率
STM32内部Flash的写寿命大约是1万次，假如我们在其Flash中存储数据，每天100次写操作，100天后Flash就无法继续可靠使用了；外部FLASH，比如说W25Q32，擦写次数也只有十万次，在高频率读写下也支撑不了多久，本文采取了一种非常简单的方法，将Flash的使用寿命无限延长，取决于你为它分配的存储区大小。主要思想就是将FLASH分配一块区域给我们的管理机，然后用索引的方式累积写FLASH，中途不进行擦写，在存满整个分区时进行统一擦写，读取根据ID进行读取，并且加上了数据校验，异常回调。主要用于存储系统配置，运行记录等。支持多个存储管理机管理不同的区域。FLASH
文章目录前言参考文档一、STM32F4的FLASH分区及扇区大小二、FLASH的读取三、FLASH的编程位数四、FLASH的擦除五、FLASH内部编程时间六、总结前言单片机内部的flash除了存储固件以外，经常将其分为多个区域，用来存储一些参数或存储OTA升级等待更新的固件，这时就会涉及单片机内部flash的编程和擦除操作。STM32同系列的单片机内部flash特性和扇区大小都不太一样，以下基于STM32F407VET6此型号进行简单介绍。参考文档STM32F4xx中文参考手册STM32F407VET6数据手册一、STM32F4的FLASH分区及扇区大小不同型号的STM32F40xx/41xx
0.序言使用vivado实现IIC协议对EEPROM进行数据存储与读取。本文是基于正点原子的“达芬奇”开发板资料进行学习的笔记，对部分地方进行了修改，并进行了详细的讲解。1.IIC协议简介（1）简介IIC(Inter-IntegratedCircuit),即集成电路总线，是一种同步半双工串行总线，用于连接微控制器及外围设备，是用于数据量不大及传输距离不大的场合下的主从通信。IIC是为了与低速设备通信而发明的，所以IIC的传输速率比不上SPI。（2）物理层接口协议IIC一共有两根总线：一条是主设备提供给从设备的串行时钟线SCL,一条是双向传输的串行数据线SDA;SCL：Serialclockli
主要工作就是把HAL的超时用LL库延时替代，保留了中断擦写模式、轮询等待擦写，我已经验证了部分。笔者用的芯片为STM32G473CBT6128KBFlash，开环环境为CUBEMX+MDK5.32，因为G4已经没有标准库了，笔者还是习惯使用标准库的开发方式，所以选择了LL库开发应用，但是LL库没有对Flash进行支持，所以笔者想通过修改HAL库的Flash驱动来使用。介绍下Datasheet内容，STM32G473系列有支持ECC的最大512KB闪存、两个边写边读的存储体、专有代码读出保护(PCROP)、安全存储区域、1KBOTP区域。STM32G473xB/xC/xE器件具有高达512KB的
目录1.单次随机写数据1.1简介1.2代码1.3Modelsim仿真1.4逻辑分析仪上板验证2.页写2.1简介2.1代码2.3Modelsim仿真2.4逻辑分析仪上板验证1.单次随机写数据1.1简介在黑金ax301开发板上使用IIC在EEPROM24LC04芯片上写数据。fpga型号：EP4CE6F17C8开发工具：Quartusll13.0+Modelsim10.1c系统时钟：50MHZIIC时钟：250KHZ两个模块：IIC驱动模块和IIC顶层模块使用的ip核：pll单次随机写数据时序图如下：过程如下：(1)主机产生并发送起始信号到从机，将控制命令写入从机设备，读写控制位设置为低电平，表示
最近在编写完FPGA逻辑，成功生成.bin文件后，可以通过Vivado软件进行设置，提高烧写速度。操作如下：（1）布局布线完成后，点击OpenImplementation。（2）点击Tool----->EditDeviceProperties...（3）General----->EnableBitstreamCompression----->TRUE，选择压缩数据流，提高下载速度。（4）Configuration------->ConfigurationRate(MHz)，可以选择较大的CCLK时钟值。（如果配置I/OPCB布线不佳，较大的时钟可能会导致FLASH烧写失败，此时需要降低CCLK
