TVS瞬态电压抑制二极管TransientVoltageSuppressorESD静电释放二极管Electro-Staticdischarge这两种本质上都是二极管。都是利用了二极管正向导通、反向截止的特性。二极管在反向截止截止条件下，如果电压继续增大，将会引发雪崩，使得二极管由截止变为短路。TVS一般用于低压大电流防护，例如为了保护单片机的5V输入，可以使用一个截止电压为5.5V的TVS来保护，一旦用户不小心给单片机插上了一个12V电源，那么单片机板子上的TVS将会把12V电源的正极通过雪崩直接短路到，从而保护单片机不受损害。ESD一般用于高压小电流防护，例如人体静电，电压可达10KV，但是
1206封装尺寸对应二极管SOD-123封装0805封装尺寸对应二极管SOD-323封装0603封装尺寸对应二极管SOD-523和SOT-523封装0402封装尺寸对应二极管DFN1006-2L封装0201封装尺寸对应二极管DFN0603封装
说在开头：关于德布罗意的电子波（1）德布罗意家族的历史悠久，他的祖先中出了许许多多将军、元帅、部长，参加过法国几乎所有的战争和各种革命，后来受到路易.腓力的册封，继承了这最高世袭身份的头衔：公爵。路易斯.德布罗意的哥哥：莫里斯.德布罗意便是第六代德布罗意公爵；当1960年莫里斯去世以后，路易斯终于从他哥哥那里继承了这个光荣称号：第七代德布罗意公爵。路易斯.德布罗意从小对历史很感兴趣，他的哥哥莫里斯.德布罗意是一位著名的放射线物理学家，并在1911年参加了第一届索尔维会议，他将会议记录带回了家；小路易斯看到了这些激动人心的科学进展和最新思潮，完全被物理学给吸引了，于是他立志成为物理学家。德布罗意
原创：转载需附链接：https://blog.csdn.net/qq_37100442/article/details/132057139?spm=1001.2014.3001.5502 一、背景 Mos分评价音质重要指标，最近也有很多机构和公司在研究适合自己的评价体系。目前Mos分主要分为主观评测和客观感知评价。其中客观感知评价由于方便和节省人力，被大众研究。本文章以标准polqa的mos分为可信前提，验证visqol、pesq、mosnet与polqa的一致性，以及visqol的可信度验证；主要用于编解码、降噪、回声消除等算法的感知效果进行打分，从而促进算法的迭代和可信
这里写目录标题前言一：MOS管和场效应管二、MOS管分类三、MOS管原理3.1MOS管的组成3.2MOS管命名由来3.3MOS管图标由来3.4MOS管原理简析3.5MOS管输出特性曲线3.6MOS管转移特性曲线附录1：为什么介绍MOS管的文章都以NMOS举例？四、MOS管特点五、MOS管参数5.1MOS管的导通条件附录2：EMI器件原理及应用5.2MOS管的寄生电容5.3米勒电容附录3：详细理解米勒电容和米勒效应附录4：为什么常在MOS管GS并联电阻？附录5：为什么要在MOS管G级串联电阻？六、MOS管的封装七、MOS管判别(管脚、NP/好坏)八、MOS管应用（待整理）前言总之文章基本就是个人
1、NPN、PNP三极管用作开关的基本电路2、负载位置为什么不管是NPN还是PNP，电路对应的负载要放到集电极C，而没有放到发射极E呢？因为三极管的输入回路是从基级B控制发射极E，负载如果放到发射极E，那就会对输入回路造成影响。比如说，Ube>0.7V可以导通，但是由于负载接到了发射极E和GND之间，那么仍然想导通的话B点的电位就不止0.7V了，因为负载也会产生压降。3、三极管的状态3.1、三极管的三种工作状态截止区：发射结反偏，集电结反偏；Ib=0，Ic也几乎为0； 放大区：发射结正偏，集电结反偏；Ube>0.7V，Ic=βIb，Ic的电流受Ib的控制；饱和区：发射结正偏，集电结正偏；Ic受
对于CMOS管，电压电流关系如下： 不过gm的两段论还是粗浅了，在深亚微米的工艺下，CMOS不仅工作在饱和区和线性区，还有可能工作在亚阈值区和深三极管区。亚阈值区（即second-effectorder效应中的subthresholdconduction）是CMOS器件在现实中并不会像理想情况那样，在Vgs根据Razavi的书上来说，在Vds大于100mV左右时，亚阈值区的ID和Vgs表现出指数关系， 其中I0正比如W/L，也就是aspectration， ξ 是非理想常数，VT=KT/q。此时跨导为这里有个两个问题：第一个问题：在饱和区如果固定流过管子的电流ID和栅长L，只增加栅宽W，gm会
看到一篇文章，作者在做一款大电压、大电流供电的产品，测试发现启动时的冲击电流很大，最大达到了14.2A，见下图示波器通道2的蓝色波形：▲ 通道4的绿色波形是采样电阻的电压当时作者没有经验，不知道如何去解决。后来同事指点说，解决这个问题需要增加缓启动电路，也叫软启动电路。同事继续解释道：这个电路的供电是由一个PMOS控制通断的，软启动的设计是让PMOS的导通时间变缓，电路上的做法是在PMOS的栅极和源极之间接一个合适的电容，PMOS的导通时间就会变缓了。作者听了同学的解答之后，在PMOS的栅极和源极之间接了一个电容，发现开机冲击电流降下来了。试了几个不同容值的电容，对应的效果不一样。最后作者选了
01直接驱动首先说一下电源IC直接驱动，下图是我们最常用的直接驱动方式，在这类方式中，我们由于驱动电路未做过多处理，因此我们进行PCBLAYOUT时要尽量进行优化。如缩短IC至MOSFET的栅极走线长度，增加走线宽度，尽量将Rg放置在离MOSFET栅极较进的位置，从而达到减少寄生电感，消除噪音的目的。当然另一个问题我们得考虑，那就是PWMCONTROLLER的驱动能力，当MOSFET较大时，IC驱动能力较小时，会出现驱动过慢，开关损耗过大甚至不能驱动的问题，这点我们在设计时需要注意。02IC内部驱动能力不足时当然，对于IC内部驱动能力不足的问题我们也可以采用下面的方法来解决。这种增加驱动能力的
1 绪论电机控制器中功率电路硬件的主要组成部分是开关器件和驱动芯片，进行控制器设计时需对这两种芯片进行选型，合理的选型关系到控制器能否正常工作，能否使电机达到理想出力，是一个很重要的环节，本文对开关器件（以MOSFET为例）和驱动芯片选型中的若干问题进行总结。2 MOS管选型2.1 选型参数简述MOS管是一种电压驱动型开关功率器件，一般对MOS选型时主要关注其耐压值、耐流值、耐温值、开关损耗等参数。表1-1列出了典型MOS管Datasheet中一些需要关注的参数及其意义。图1-1MOS管符号示意图表1-1 MOS管主要参数及意义说明Symbol Definition Meaning最大漏电流漏
