对于CMOS管，电压电流关系如下： 不过gm的两段论还是粗浅了，在深亚微米的工艺下，CMOS不仅工作在饱和区和线性区，还有可能工作在亚阈值区和深三极管区。亚阈值区（即second-effectorder效应中的subthresholdconduction）是CMOS器件在现实中并不会像理想情况那样，在Vgs根据Razavi的书上来说，在Vds大于100mV左右时，亚阈值区的ID和Vgs表现出指数关系， 其中I0正比如W/L，也就是aspectration， ξ 是非理想常数，VT=KT/q。此时跨导为这里有个两个问题：第一个问题：在饱和区如果固定流过管子的电流ID和栅长L，只增加栅宽W，gm会