贝叶斯原理是英国数学家托马斯·贝叶斯提出的。贝叶斯原理建立在主观判断的基础上：在我们不了解所有客观事实的情况下，同样可以先估计一个值，然后根据实际结果不断进行修正。举例：一个袋子里有10个球，其中6个黑球，4个白球；那么随机抓一个黑球的概率是0.6！（已知黑球白球数量—了解事情再判断）如果我们事先不知道袋子里面黑球和白球的比例，而是通过我们摸出来的球的颜色，能判断出袋子里面黑白球的比例么？（未知事情全貌—还能判断吗？）三个概率：先验概率：通过经验来判断事情发生的概率。一般都是单独事件概率，如P(x)、P(y)P(x)、P(y)P(x)、P(y)后验概率：发生结果A之后，推测原因B的概率P(B∣
1LightGBM算法基本原理GBDT算法的基本思想是把上一轮的训练残差作为下一轮学习器训练的输入，即每一次的输入数据都依赖于上一次训练的输出结果。因此，这种训练迭代过程就需要多次对整个数据集进行遍历，当数据集样本较多或者维数过高时会增加算法运算的时间成本，并且消耗更高的内存资源。而XGBoost算法作为GBDT的一种改进，在训练时是基于一种预排序的思想来寻找特征中的最佳分割点，这种训练方式同样也会导致内存空间消耗极大，例如算法不仅需要保存数据的特征值，还需要保存特征排序的结果；在遍历每一个分割点的时候，都需要进行分裂增益的计算，消耗的代价大，特别是当数据量级较大时，这种方式会消耗过多时间。为
1LightGBM算法基本原理GBDT算法的基本思想是把上一轮的训练残差作为下一轮学习器训练的输入，即每一次的输入数据都依赖于上一次训练的输出结果。因此，这种训练迭代过程就需要多次对整个数据集进行遍历，当数据集样本较多或者维数过高时会增加算法运算的时间成本，并且消耗更高的内存资源。而XGBoost算法作为GBDT的一种改进，在训练时是基于一种预排序的思想来寻找特征中的最佳分割点，这种训练方式同样也会导致内存空间消耗极大，例如算法不仅需要保存数据的特征值，还需要保存特征排序的结果；在遍历每一个分割点的时候，都需要进行分裂增益的计算，消耗的代价大，特别是当数据量级较大时，这种方式会消耗过多时间。为
变压器耦合栅极驱动1.单端变压器耦合栅极驱动电路2.双端变压器耦合栅极驱动在高电压栅极驱动IC出现以前，使用栅极驱动变压器是唯一一种在离线或类似高电压电路中驱动高侧开关的可行解决方案。现在，两种解决方案同时存在并且各有利弊，可用于不同的应用非常重要。集成高侧驱动器非常方便，使用的电路板更小，但开通和关断延时比较长。设计合理的变压器耦合解决方案具有可忽略的延时，可跨更高的电势差运行。通常，它使用更多元件，需要设计变压器，或者至少了解其运行和规格。在集中精力设计栅极驱动电路前，应检查一些与所有变压器设计有关的常见问题及其与栅极驱动变压器的关联。•变压器至少有两个绕组。使用独立的一次和二次绕组便于实
变压器耦合栅极驱动1.单端变压器耦合栅极驱动电路2.双端变压器耦合栅极驱动在高电压栅极驱动IC出现以前，使用栅极驱动变压器是唯一一种在离线或类似高电压电路中驱动高侧开关的可行解决方案。现在，两种解决方案同时存在并且各有利弊，可用于不同的应用非常重要。集成高侧驱动器非常方便，使用的电路板更小，但开通和关断延时比较长。设计合理的变压器耦合解决方案具有可忽略的延时，可跨更高的电势差运行。通常，它使用更多元件，需要设计变压器，或者至少了解其运行和规格。在集中精力设计栅极驱动电路前，应检查一些与所有变压器设计有关的常见问题及其与栅极驱动变压器的关联。•变压器至少有两个绕组。使用独立的一次和二次绕组便于实
MOSFET技术1.器件类型2.MOSFET模型3.MOSFET关键参数4.开关应用5.开通过程6.关断过程7.功率损耗8.寄生器件的影响双极晶体管和MOSFET晶体管的工作原理相同。从根本上说，这两种晶体管都是电荷控制器件，这就意味着它们的输出电流与控制电极在半导体中形成的电荷成比例。将这些器件用作开关时，都必须由能够提供足够灌入和拉出电流的低阻抗源来驱动，以实现控制电荷的快速嵌入和脱出。从这一点来看，在开关期间，MOSFET必须以类似于双极晶体管的形式进行“硬”驱动，以实现可媲美的开关速度。从理论上来说，双极晶体管和MOSFET器件的开关速度几乎相同，这取决于电荷载流子在半导体区域中传输所
MOSFET技术1.器件类型2.MOSFET模型3.MOSFET关键参数4.开关应用5.开通过程6.关断过程7.功率损耗8.寄生器件的影响双极晶体管和MOSFET晶体管的工作原理相同。从根本上说，这两种晶体管都是电荷控制器件，这就意味着它们的输出电流与控制电极在半导体中形成的电荷成比例。将这些器件用作开关时，都必须由能够提供足够灌入和拉出电流的低阻抗源来驱动，以实现控制电荷的快速嵌入和脱出。从这一点来看，在开关期间，MOSFET必须以类似于双极晶体管的形式进行“硬”驱动，以实现可媲美的开关速度。从理论上来说，双极晶体管和MOSFET器件的开关速度几乎相同，这取决于电荷载流子在半导体区域中传输所
