目录标题：1200VSiCTrench-MOSFETOptimizedforHighReliabilityandHighPerformance摘要信息解释研究了什么文章创新点文章的研究方法文章的结论标题：1200VSiCTrench-MOSFETOptimizedforHighReliabilityandHighPerformance摘要本文详细分析了新开发的Infineon1200VCoolSiC™MOSFET的典型静态和动态性能，该器件的设计目标是45mΩ的导通电阻。为了与各种标准门极驱动器兼容，该器件的门压范围设计为在关态下为-5V，在开态下为+15V。经过长期门氧寿命测试，发现该器件的