1. 特性

• 1-4节电池充电控制，输入电压范围4.5-24V

• 支持IIC

• 无电池或电池深度放电的情况下支持系统即时启动操作

• 可在适配器满载时进入补充模式，支持同步BATFET 控制

• 可编程输入电流限制、充电电压、充电电流和最小系统电压调节
  – ±0.5% 充电电压（16mV/步长）
  – ±2% 输入/充电电流（64mA/步长）
  – ±2% 40x 输入/16x 放电/20x 充电电流监视器

• 支持电池 LEARN（学习）功能

• 600kHz 至 1.2MHz 的可编程开关频率

2. 默认参数表

参数	bq24773
通信接口	IIC
通信地址	D4H (0x11010100)
默认开关频率	1.2MHz
默认输入电流限制	2944mA
设备ID	0x41h

3. 引脚配置和功能

PIN	NAME	描述
1	ACN	输入电流检测的电阻负输入。 将可选的0.1-µF陶瓷电容器从ACN放置到GND进行共模滤波。 从ACN到ACP放置0.1-µF陶瓷电容器，提供差分模式滤波
2	ACP	输入电流检测的电阻正输入。将可选的0.1-µF陶瓷电容器从ACP放置到GND进行共模滤波。 从ACN到ACP放置0.1-µF陶瓷电容器，提供差分模式滤波
3	CMSRC	ACDRV电荷泵源输入。 从CMSRC放置一个4 kΩ电阻到ACFET (Q1)和RBFET (Q2)的共同源，限制CMSRC引脚上的涌电流。当CMSRC接地时，ACDRV引脚成为内部上拉到REGN的逻辑输出。 ACDRV HIGH指示外部驱动可以开启ACFET/RBFET。 它直接驱动CMOS逻辑
4	ACDRV	电荷泵输出驱动适配器输入n通道MOSFET (ACFET)和反向阻塞n通道MOSFET (RBFET)。ACOK高时ACDRV电压比CMSRC高6V，开启ACFET/RBFET。从ACDRV到ACFET和RBFET的栅极放置一个4kΩ电阻，限制ACDRV引脚上的涌电流。当CMSRC接地，ACDRV引脚成为逻辑输出内部拉到REGN。 ACDRV HIGH表示可以开启ACFET/RBFET。它直接驱动CMOS逻辑
5	ACOK	有源高交流适配器检测开路漏输出。 当一个有效的适配器存在时(ACDET高于2.4 V, VCC高于UVLO但低于ACOV, VCC高于BAT)，它被外部上拉电阻从HIGH拉到外部上拉供电轨。 如果上述任何一个条件无效，ACOK被内部MOSFET拉低。 连接10-kΩ上拉电阻从ACOK到上拉电源轨道
6	ACDET	适配器检测输入。程序适配器有效的输入阈值连接一个电阻分配器从适配器输入ACDET引脚到GND引脚。当ACDET引脚大于0.6 V, VCC大于UVLO时，REGN LDO存在，ACOK比较器和输入电流监测缓冲器(IADP)均处于活动状态。I2C可以启用独立比较器、IBAT缓冲区、PMON缓冲区和PROCHOT。当ACDET引脚高于2.4 V, VCC高于BAT，但低于ACOV时，ACOK偏高。 ACFET / RBFET 打开
7	IADP	缓冲适配器电流输出。 用I2C可选择40 or 80 × (V(ACP) - V(ACN))。 将100pF以下的陶瓷去耦电容从IADP引脚放置到地。 如果不使用，这个引脚可以浮动。 IADP输出电压被箝位在3.3 V以下
8	IBAT	I2C选择缓冲电池电流。 充电电流V(IBAT) = 20 × (V(SRP) - V(SRN))，放电电流V(IBAT) = 8 or 16 × (V(SRN) - V(SRP))，比值可通过I2C进行选择。 从IBAT引脚到GND放置100pF或更小的陶瓷去耦电容。如果不使用，这个引脚可以浮动。其输出电压固定在3.3V以下
9	PMON	电流模式系统功率监视器。 输出电压与适配器和电池的总功率成正比。增益可通过I2C进行选择。如果不使用，这个引脚可以浮动。其输出电压固定在3.3 V以下。PMON的最大电容为100pf
10	$\overline{PROCHOT}$	“处理器热”指示器的主动低开路漏极输出。它监控适配器输入电流，电池放电电流和系统电压。在$\overline{PROCHOT}$的任何事件被触发后，都会产生至少10毫秒的脉冲
11	SDA	I2C开路数据I/O。从主控制器连接数据线。连接一个10-kΩ上拉电阻
12	SCL	I2C时钟输入。从主控制器连接到时钟线。连接10-kΩ上拉电阻
13	CMPIN	独立比较器的输入。通过I2C可选择内部基准、输出极性和去噪时间。对于极性高(0x3B[6]=1)，在CMPIN和CMPOUT之间放置一个电阻来编程迟滞。 对于极性低(0x3B[6]=0)，内部滞后是100mV。如果不使用独立比较器，将CMPIN绑定到GND
14	CMPOUT	独立比较器的输入。通过I2C可选择内部基准、输出极性和去噪时间。对于极性高(0x3B[6]=1)，独立比较器的开漏输出。 将10kΩ上拉电阻从CMPOUT到上拉电源轨。通过I2C可选择内部基准、输出极性和去噪时间。
15	$\overline{BATPRES}$	主动低电量输入信号。LOW表示电池存在，HIGH表示电池不存在。当$\overline{BATPRES}$引脚从低到高，设备退出学习模式，并禁用充电。REG 0x15()值变成默认值。当$\overline{BATPRES}$为HIGH时，主机可以启用IDPM，通过I2C控制充电
16	CELL	电池选择引脚。 GND用于1单元，Float用于2单元，HIGH用于3单元或4单元。 CELL引脚从REGN偏移。在主机写入MaxChargeVoltage()之前，MaxChargeVotage()遵循CELL引脚设置。CELL引脚也设置SYSOVP阈值。GND为5v, Float为12v, HIGH为18.5V。当REG 0x15()高于15V时，SYSOVP被禁用
17	BAT	电池电压远程检测。从电池组正极端子直串联10欧电阻接连引脚，以准确感应电池组电压。在BAT和GND之间放置一个0.1μF的电容器，靠近IC以滤除高频噪声
18	$\overline{BATDRV}$	p通道电池场效应晶体管(BATFET)栅驱动输出。它被缩短到SRN以关闭BATFET。它在SRN以下打开BATFET。BATFET在线性模式下调节SYS在电池耗尽时的最小系统电压。BATFET在快速充电和补充模式下是完全开启的。将BATFET的源端连接到电流传感节点的SRN引脚，并将BATFET的漏端连接到电池组正节点的BAT引脚
19	SRN	充电电流检测电阻负输入。SRN引脚也用于电池电压传感。将SRN引脚与0.1μF陶瓷电容连接到地进行共模滤波。从SRP到SRN连接一个0.1-μF的陶瓷电容器，提供差分模式滤波
20	SRP	充电电流检测电阻正输入。将SRP引脚与0.1μF陶瓷电容连接到地进行共模滤波。从SRP到SRN连接一个0.1-μF的陶瓷电容器，提供差分模式滤波
21	ILIM	输入电流限制输入。通过将电阻分压器从供电轨连接到ILIM引脚和GND引脚，对ILIM电压进行编程。ILIM电压的计算公式为：V（ILIM）=20×IDPM×RAC，其中IDPM为目标调节电流。ILIM电压和DAC限制电压中的较低值设置输入电流调节限制。主机可以通过设置0x38[7]=0来忽略ILIM引脚中的IDPM设置
22	GND	在PCB布局上，连接到模拟地平面，并且仅通过IC下方的电源垫连接到电源地平面
23	LODRV	低侧功率MOSFET驱动器输出。 连接到低侧n通道MOSFET栅极
24	REGN	由VCC提供的5.4V线性稳压器输出。 当ACDET高于0.6V, VCC高于UVLO时，LDO是活跃的。从REGN连接一个1μF的陶瓷电容器到电源地
25	BTST	大功率MOSFET驱动电源。从BTST连接一个0.047-μF的电容到PHASE。集成了REGN和BTST之间的引导二极管
26	HIDRV	大功率MOSFET驱动输出。 连接到高侧n沟道MOSFET栅极
27	PHASE	大功率MOSFET驱动源。 连接到高侧n沟道MOSFET的源
28	VCC	从适配器或电池输入电源。 放置肖特基二极管。肖特基二极管后，放置10-Ω电阻和1-μF电容对地作为低通滤波器限制涌流
29	Thermal Pad	IC下面的外露焊盘。模拟地和电源地仅在热焊盘平面上星形连接。始终将热垫焊接到板上，热垫平面上有通孔连接到模拟地和电源地平面。 它还可以作为散热垫来散热

3. 功能描述

只有电池

电池通过二极管连接到VCC。当VCC电压高于UVLO时，bq2477x通电以打开BATFET并启动SMBus/I2C通信。默认情况下，bq2477x保持低功耗模式（0x12[15]=1），静态电流最低。
当0x12[15]设置为0时，设备进入性能模式。用户可以通过SMBus/I2C启用IBAT缓冲区。为了启用PMON、PROCHOT或独立比较器，bq2477x启用REGN LDO以进行精确参考。

适配器检测和ACOK输出

外部电阻分压器会在适配器电压进入ACDET之前将其衰减。适配器检测阈值通常应编程为大于最大蓄电池电压但低于最大允许适配器电压的值。当ACDET高于0.6V时，REGN LDO和偏置电路启用。
在以下条件下，可以使ACOK输出：
• V(UVLO) < V(VCC) < V(ACOVP)
• V(ACDET) > 2.4 V
• V(VCC) – V(SRN) > V(VCC_SRN_RISE)

适配器过压(ACOVP)

当VCC引脚电压高于26 V时，视为适配器过压。ACOK被拉低，然后
充电功能被禁用。ACFET/RBFET关闭，以在运行期间断开系统的高压适配器
ACOVP。如果开启条件有效，BATFET开启。当VCC电压降至22 V以下时
视为适配器电压恢复到正常电压。ACOK由外部上拉电阻器拉高。
BATFET关闭，ACFET和RBFET打开，从适配器为系统供电。

系统电源选择

bq2477x设备自动将适配器或电池电源切换到系统。
ACDRV驱动适配器和ACP之间的一对公共源（CMSRC）N沟道功率MOSFET（ACFET和RBFET）（详见图21）。ACFET将适配器与系统和电池分离，并通过控制ACFET的开启时间，在插入适配器时提供有限的di/dt。当适配器对地短路时，RBFET提供负输入电压保护和电池放电保护，并且与肖特基二极管相比，RBFET的RDS（on）较低，从而最大限度地降低系统功耗。

当适配器不存在时，ACDRV被拉到CMSRC以保持ACFET和RBFET关闭，从而断开适配器与系统的连接。如果以下所有条件均有效，BATDRV将保持低至VSRN –10 V，以将电池连接至系统：
• V(VCC) > V(UVLO)
• V(SRN) – V(SRP) > 2.56 mV

插入适配器后，如果ACOK高，系统电源将从电池切换到适配器。ACFET和RBFET上的栅极驱动电压为V(CMSRC) + 6 V。如果 ACDRV_CMSRC 电压从其正常电压下降至少100 mV，转换器停止。

为了限制ACFET开启期间的适配器涌入电流，必须按照以下指南仔细选择ACFET的Cgs和Cgd外部电容器：
• 最小化系统上的总电容
• Cgs应为Cgd的40倍或更高，以避免在适配器热插拔期间ACFET错误开启
• 与MOSFET供应商核实峰值电流额定值
• 将4 kΩ电阻器与ACDRV和CMSRC引脚串联，以限制MOSFET的开启/关闭时间。

系统上电

ACFET接通后，转换器启用，HSFET和LSFET开始切换。每次启动buck变换器时，IC都会自动对buck输出电流应用软启动（退出学习时无软启动），以避免输出电容器或功率变换器出现任何超调或应力。此功能不需要外部组件。
通电时，转换器输出电压是由CELL引脚配置设置的默认值。

CELL PIN	默认的电池配置	默认MaxChargevoltage()	默认MinSystemVoltage()	SYSOVP阈值
Low	1s	4400mV	3568mV	5 V
Float	2s	9008mV	6144mV	12 V
High	3s/4s	13504mV	9008mV	MaxChargeVoltage() < 15 V 时 18.5 V

动态电源管理（IDPM）和补充模式

当输入电流超过输入电流设定值时，bq2477x会降低充电电流，为系统负载提供优先级。随着系统电流的增加，可用充电电流相应地向零下降。如果充电电流降至零后系统负载持续增加，则系统电压开始下降。当系统电压降至电池电压以下时，设备进入补充模式，电池开始放电，系统总功率等于输入电源功率和电池放电功率。

最小系统电压调节和LDO模式

$\overline{BATDRV}$驱动转换器输出和电池之间的p沟道BATFET，为电池提供充电和放电路径。即使电池耗尽或没有电池，系统也始终高于MinSystemVoltage（）。
当电池电压低于最低系统电压设置时，该BATFET在电池充电期间以线性模式（LDO模式）工作。预充电电流由ChargeCurrent（）设置，并限制在384mA以下。
如果电池电压达到最低系统电压，BATFET将完全开启。最小BATDRV电压为1.1 V。对于1s应用，当栅极电压为1.1 V或更高时，BATFET必须完全开启。否则，BATFET可能无法正常工作。

高精度电流检测放大器（IADP和IBAT）

作为行业标准，高精度电流检测放大器（CSA）用于监测输入电流（IADP）和充放电电流（IBAT）。IADP电压是ACP和ACN之间差分电压的40倍或80倍。IBAT电压是SRP和SRN之间差分的20倍（充电期间）或8倍/16倍（放电期间）。VCC高于V(UVLO) 且ACDET高于0.6 V后，IADP输出变为有效。为了降低电流监控上的电压，可以使用从CSA输出到GND的电阻分压器，并且仍然可以实现超温精度。

建议在输出端连接最大100 pF的电容器，以消除高频噪声。如果需要额外的过滤，额外的RC过滤器是可选的。请注意，添加过滤也会增加额外的响应延迟。CSA输出电压钳制在3.3 V。

高精度功率感应放大器（PMON）

bq2477x设备同时监控适配器和电池的总可用电量。PMON电流与总功率 K(PMON) 之比可以在ChargeOption1（）位[8]中编程，默认值为1μA/W。通过将ChargeOption1（）位[12]设置为1，bq2477x设备允许输入感测电阻为电荷感测电阻的2倍。

I = K(PMON)(VIN × IIN + VBAT × IBAT ) (IBAT > 0 during battery discharging, IBAT < 0 during battery charging) )

PMON的最大输出电流为100μA。用户根据峰值系统额定功率选择输出电阻。
PMON输出电压钳制在3.3V以下。

CPU节流的处理器热指示

当CPU运行turbo模式时，峰值功率可能超过适配器和电池的总可用功率。
适配器电流和电池放电超调或系统电压降表明系统电源可能过高。卸下适配器或电池后，剩余电源可能无法支持turbo模式下的峰值功率。bq2477x中的处理器热功能监视这些事件，并断言 $\overline{PROCHOT}$ 脉冲。

$\overline{PROCHOT}$ 触发事件包括：
• ICRIT：适配器峰值电流
• INOM：适配器平均电流（输入电流限值的110%）
• IDCHG：电池放电电流
• VSYS：2s-4s电池SRN上的系统电压
• ACOK：拆除适配器时（ACOK 引脚从高到低）
• BATPRES：卸下电池后（BATPRES 引脚从低到高）
• CMPOUT：独立比较器输出（CMPOUT 引脚从高到低）

ICRIT、IDCHG或VSYS的阈值，以及ICRIT、INOM、IDCHG或CMPOUT的去毛刺时间可通过SMBus编程。每个触发事件都可以在REG0x3D[6:0]中单独启用。

当触发 $\overline{PROCHOT}$ 配置中的任何事件时，$\overline{PROCHOT}$ 被断言为低电平至少10毫秒（默认0x3C[4:3]）。在10毫秒结束时，如果 $\overline{PROCHOT}$ 事件仍处于活动状态，则脉冲会延长。

转换器操作

bq2477x通常使用2.2/3.3μH电感和60μF输出电容来实现所有环路的稳定。该电容可能来自系统总线去耦帽。但是，为了获得良好的输出瞬态响应，比如最小输出下降或最小输出尖峰，最好从系统总线获得更多的输出电容，这可能是CPU核心、DDR和芯片组下游DC-DC转换器输入的总输入电容。

陶瓷电容器表现出直流偏置效应。当在陶瓷电容器上施加直流偏置电压时，这种效应会降低有效电容，如在充电器的输出电容器上。这种效应可能会导致显著的电容下降，尤其是对于高输出电压和小型电容器封装。
有关施加直流偏置电压时的性能，请参阅制造商的数据表。可能需要选择更高的额定电压或标称电容值，以在工作点获得所需的值。

连续传导模式（CCM）

有足够的充电电流时，电感器电流不会到0，这被定义为CCM。控制器开始一个新的循环，斜坡从200 mV上升。
只要EAO电压高于斜坡电压，高压侧MOSFET（HSFET）就会保持导通。当斜坡电压超过EAO电压时，HSFET关闭，低侧MOSFET（LSFET）打开。
在循环结束时，斜坡复位，LSFET关闭，为下一个循环做好准备。在转换过程中，总是先断后合逻辑，以防止交叉传导和穿透。
在两个MOSFET都关闭的死区时间内，低压侧功率MOSFET的体二极管传导电感电流。

在CCM期间，电感电流始终流动，并形成一个固定的两极系统。开启LSFET可以保持低功耗，并允许在大电流下安全充电。

不连续传导模式（DCM）

当LSFET开启时，在HSFET关闭期间，电感电流减小。如果电流为0，转换器进入DCM。
每个周期，当SRP和SRN之间的电压降至0 mV以下时，欠电流保护比较器（UCP）关闭LSFET以避免负电感电流，这可能会通过HSFET的体二极管提升系统。

在DCM期间，回路响应会自动改变。它变为单极系统，且极与负载电流成比例。

PFM 模式

为了提高转换器的轻载效率，bq2477x在轻载时切换到PFM控制，并禁用充电或在LDO模式下充电。
当系统负载降低时，有效开关频率将相应降低。最小频率可限制为40kHz（ChargeOption0（）位[10]=1）。
要获得更高的轻载效率，请将“音频限制”位设置为低（Chargeoption0（）位[10]=0）。

开关频率调节

充电器开关频率可通过SMBus/I2C命令进行调整，以解决EMI问题。ChargeOption0（）位[9:8]可用于设置开关频率。
如果频率降低，电流纹波就会增加。必须仔细选择电感器值，以便即使在输入电压更高、占空比50%、电感更低和开关频率更低的最坏情况下，也不会触发逐周期峰值过电流保护。

学习模式

学习模式设置为校准组件中的仪表。启用读入功能后，系统首先将电池放电到耗尽阈值以下，然后完成另一个充电循环以进行仪表校准。在放电过程中，BATFET导通，转换器停止。

可通过SMBus/I2C“LEARN Enable”（记忆启用）命令（ChargeOption0（）位[5]=1启用记忆模式）激活电池记忆循环。
当在连接适配器的情况下启用LEARN时，系统通过关闭转换器将电源切换至电池，并保持ACFET/BATFET接通。
学习模式允许蓄电池放电，以便在整个放电/充电循环中校准蓄电池气体表。
当学习被禁用时，系统通过在几百μs内打开转换器将电源切换到适配器。

bq2477x还通过将 $\overline{BATPRES}$ 驱动到高位，支持硬件引脚存在学习模式。当 $\overline{BATPRES}$ 引脚拉高时，bq2477x重置“学习启用”（ChargeOption 0（）位[5]）和IDPM_EN（ChargeOption（）位[1]），并重置MaxChargeVoltage（）和ChargeCurrent（）。

充电超时

bq2477x包括一个看门狗定时器，如果充电器在175s内未收到write MaxChargeVoltage（）或write ChargeCurrent（）命令（可通过ChargeOption（）命令进行调整），则可以终止充电。
如果出现看门狗超时，所有寄存器值保持不变，但充电暂停。必须重新发送Write ChargeVoltage（）或Write ChargeCurrent（）命令以重置看门狗定时器并恢复充电。
可以禁用看门狗定时器，或通过SMBus命令（ChargeOption（）位[14:13]）将其设置为44s、88s或175s。如果看门狗处于超时状态，通过写入ChargeOption（）位[14:13]禁用看门狗定时器也会恢复充电。

输入过电流保护（ACOC）

如果输入电流超过输入电流DAC设定值的3倍，转换器将被禁用。300毫秒后，转换器再次打开。

ACOC功能阈值可通过SMBus命令设置为输入DPM电流的3倍（ChargeOption0位[7]=1）或功能禁用（ChargeOption0）位[7]=0，默认值）。bq2477x具有周期间峰值过电流保护。
它监控LSFET或输入电流感应电阻器的Rds（on）之间的电压，并防止转换器出现过流情况。当检测到过电流时，高压侧栅极驱动关闭，当过电流条件消失时，高压侧栅极驱动自动恢复。

变换器过流保护

当LODRV脉冲大于100ns时，LSFET OCP激活，阈值通过SMBus/I2C命令自动设置为290mV（ChargeOption0（）位[6]=1，默认）或170mV（ChargeOption0（）位[6]=0）。当MOSFET刚刚开启时，消隐时间可防止噪声。
当LODRV脉冲小于100ns时，bq2477x将OCP限制设置为与PROCHOT ICRIT设置成比例（ProchotOption0（）位[8]）。IDPM功能被禁用（0x12[1]=0）。即使IDPM被禁用，也将InputCurrent（）设置为正确的值。

电池过压保护（BATOVP）

当BAT处的电压超过调节电压设定值的104%（1s）或102%（2s–4s）时，bq2477x立即停止转换器。
这允许快速响应过电压情况，例如在卸下负载或断开蓄电池时发生的情况。从SRP/SRN到GND的19 mA电流接收器仅在BATOVP期间开启，并允许释放传输到输出电容器的存储输出电感能量。

系统过压保护(SYSOVP)

当转换器启动时，bq24770读取单元引脚配置，并设置MaxChargeVoltage（）和SYSOVP阈值（1s–5V、2s–12V、3s–18.5V）。
在主机写入MaxChargeVoltage（）之前，电池配置将随电池管脚电压而变化。

当SYSOVP发生时，设备锁定ACFET/RBFET。寄存器ChargeOption0（）位[12]设置为1。

用户可以通过写入0以注册位或移除并再次插入适配器（ACDET低于0.6V并再次备份）来清除闩锁。闩锁解除后，ACFET/RBFET接通，转换器启动。

热关机保护(TSHUT)

WQFN封装具有较低的热阻抗，可提供从硅到环境的良好热传导，以保持结温较低。
作为一种额外的保护级别，每当结温超过155°C时，充电器转换器就会关闭以进行自我保护。
充电器保持关闭状态，直到结温降至135°C以下。在热关机期间，REGN LDO电流限制降至14 mA。
一旦温度降至135°C以下，可通过软启动恢复充电。

电池充电

bq2477x以恒流（CC）和恒压（CV）模式为1-4芯电池充电。主机将电池电压编程为ChargeVoltage（）（0x15（））。
根据电池电压，主机将适当的充电电流编程为ChargeCurrent（）（0x14（））。当电池电量已满或电池无法正常充电时，主机通过将0x12[0]设置为1或将ChargeCurrent（）设置为零来终止充电。

窄VDC结构的系统电压调节

bq2477x采用窄VDC结构（NVDC），并将BATFET系统与电池分离。最小系统电压由MinSystemVoltage（）设置。

即使在电池电量严重耗尽的情况下，系统的调节电压也会高于最低系统电压。当电池低于最低系统电压设置时，BATFET以线性模式（LDO模式）工作。

当电池电压高于最低系统电压时，BATFET完全开启，系统和电池之间的电压差为BATFET的VDS。

4. 通信方式

bq24773 通信方式为 IIC ，具体时序参考英文手册。

5. 寄存器描述(更新中)

ChargeOption0 Register

IIC(01H)	IIC(00H)	BIT	BIT NAME	DESCRIPTION
[7]		[15]	Low Power Mode Enable	0:IC处于性能模式，仅限电池。$\overline{PROCHOT}$ 、电流监控缓冲器、电源监控缓冲器和比较器的启用遵循寄存器设置。 1：IC处于低功耗模式，仅使用电池。当该位启用时，IC处于最低静态电流。/PROCHOT、放电电流监测缓冲器、功率监测缓冲器和独立比较器被禁用。 <POR默认值>
[6:5]		[14:13]	WATCHDOG Timer Adjust	设置连续SMBus/I2C写入充电电压或充电电流命令之间的最大延迟。 如果IC在看门狗时间段内未收到MaxChargeVoltage（）或ChargeCurrent（）上的写入，ChargeCurrent（）将设置为0mA以停止充电。转换器持续运行以调节系统电压。 到期后，写入MaxChargeVoltage（）或ChargeCurrent（）时，计时器将恢复。 00: 关闭看门狗定时器 01: 开启，44秒 10: 开启，88秒 11: 开启，175秒 <POR默认值>
[4]		[12]	IDPM AUTO DISABLE	当$\overline{BATPRES}$引脚从低变高时，充电器IC自动禁用IDPM功能（IDPM启用位变为0）。主机可以通过写入IDPM_EN位1再次启用IDPM功能。 0: 关闭<POR默认值> 1: 开启
[3]		[11]	SYSOVP Status& Clear	当SYSOVP发生时，该位为高位。卸下SYSOVP后，用户必须向该寄存器写入0或拔下适配器以清除OVP状态。 0: 不在SYSOVP中，写入0以清除SYSOVP闩锁<POR默认值> 1：设备在SYSOVP中，ACFET/RBFET关闭
[2]		[10]	Audio Frequency Limit	0: 开关频率无限制<POR默认值> 1: 将最小开关频率设置为40kHz，以避免音频噪音
[1:0]		[9:8]	Switching Frequency[1:0]	转换器开关频率。 00: 600 kHz 01: 800kHz <POR默认值bq24770> 10: 1 MHz 11: 1.2MHz <POR默认值bq24773>
	[7]	[7]	ACOC Setting	通过检测ACP_ACN电压输入过电流保护阈值。 0: 关闭 ACOC <POR默认值> 1: ACOC 限制 300% of IDPM
	[6]	[6]	LSFET OCP Threshold	检测GND相的逐周期过电流保护阈值 0: 170mV 1: 290mV <POR默认值>
	[5]	[5]	LEARN Enable	电池学习模式启用。在学习模式下，降压转换器关闭，而ACFET和RBFET保持开启。BATFET接通以放电。设置该位0将停止学习模式，并重新开启降压转换器。 0: 关闭学习模式 <POR默认值> 1: 开启学习模式
	[4]	[4]	IADP Amplifier Ratio	0: 40x <POR默认值> 1: 80x
	[3]	[3]	IBAT Amplifier Ratio for Discharge Current	0: 8x 1: 16x <POR默认值>
	[2]	[2]	Reserved	保留 1
	[1]	[1]	IDPM Enable	输入调节回路启用。 0: 关闭IDMP 1: 开启IDMP <POR默认值>
	[0]	[0]	Charge Inhibit	输入调节回路启用。 Change inhibit bit. To enable charge, first writes this bit to 0 and then write 0x14() non-zero value 0: Enable charge <POR默认值> 1: Disable charge

ChargeOption1 Register

IIC(03H)	IIC(02H)	BIT	BIT NAME	DESCRIPTION
[7:5]		[15:13]		保留 0
[4]		[12]	RSNS_RATIO	调整输入感测电阻器（RAC）和电荷感测电阻器（RSR）的比率以进行功率计算。 0: RAC and RSR 1:1 <POR默认值> 1: RAC and RSR 2:1
[3]		[11]	IBAT Enable	启用IBAT输出缓冲区。 0: 关闭IBAT输出缓冲器以最小化Iq<POR的默认值> 1：开启IBAT输出缓冲器
[2]		[10]	PMON Enable	启用PMON感应电路和输出缓冲器。 0: 关闭PMON输出缓冲器以最小化Iq<POR的默认值> 1：开启PMON输出缓冲器
[1]		[9]	PMON Gain	PMON输出电流与10欧姆RAC和RSR上的总系统功率有关。 0: 0.25 µA/W 1: 1µA/W <POR默认值>
[0]		[0]	Reserved	保留 1
	[7]	[7]	CMP_REF	独立比较器内部参考。 0: 2.3 V <POR默认值> 1: 1.2 V
	[6]	[6]	CMP_POL	独立比较器输出极性 0: 独立比较器输出极性，当CMPIN高于内部阈值时，CMPOUT为低<POR的默认值> 1: 当CMPIN高于内部阈值时，CMPOUT为高
	[5:4]	[5:4]	CMP_DEG [1:0]	独立的比较器去毛刺时间。 00: Independent comparator is disabled 01: Independent comparator is enabled with output deglitch time 2 µs <POR默认值> 10: Independent comparator is enabled with output deglitch time 2 ms 11: Independent comparator is enabled with output deglitch time 5 sec
	[3]	[3]	FET Latch-off Enable	当比较器被触发时，所有的功率路径MOSFET都会关闭。为了清除电源路径闩锁，必须卸下适配器和电池。因此，在POR状态下，闩锁关闭被清除。 0: 触发比较器时，电源路径不闭锁<POR默认值> 1: 触发比较器时，电源路径锁定关闭
	[2]	[2]	FORCE BATFET Off	主机可以随时强制BATFET关闭。在BATFET被强制关闭后，插件适配器将把位设置回0。 0: 允许BATFET开启<POR默认值> 1: 允许关闭 BATFET
	[1]	[1]	Discharge BAT Enable	当该位为1时，在40毫秒内将BAT引脚放电至3.8 V以下。当40毫秒结束时，该位重置为0。 0: Disable discharge mode <POR默认值> 1: Enable discharge mode
	[0]	[0]	Auto Wakeup Enable	当该位为高时，如果蓄电池电压低于3 V（1s）或6 V（2s-4s），IC将自动启用128 mA充电电流，为耗尽的蓄电池充电30分钟。当蓄电池电压超过3V（1S）或6V（2S-4S）时，充电将在1分钟后停止。30分钟后，充电将停止，该位被设置为低。 0: Disable auto-wakeup 1: Enable auto-wakeup <POR默认值>

ChargeOption2 Register

	IIC(10H)	BIT	BIT NAME	DESCRIPTION
		[15:8]		保留
	[7]	[7]	External ILIM Enable	0: 输入电流限制由REG0x3F设置。 1: 输入电流限制由ILIM引脚和REG0x3F的下限值设置<POR的默认值>
	[6]	[6]	IBAT Output Select	0: IBAT pin as discharge current. <POR默认值> 1: IBAT pin as charge current.
	[5:0]	[5:0]	Reserved	保留 0

ProchotOption0 Register

IIC(05H)	IIC(04H)	BIT	BIT NAME	DESCRIPTION
[7:3]		[15:11]	ICRIT Comparator Threshold	5位，0x3FH中IDPM的百分比。测量ACP和ACN之间的电流。电流高于此阈值时触发。 步进：5%，默认150%（01001） 00000:110% 00001:110% 00010:115% 00011:120% …(看原手册) 如果IDPM设置超过3.584A（0111000），ICRIT阈值将被限制在230%。
[2:1]		[11:10]	ICRIT Comparator Deglitch Time	00: 10 µs 01: 100 µs <POR默认值> 10: 400 µs 11: 800 µs
[0]		[8]	Input OCP Threshold	ACP-ACN输入过电流设置。 0: 125% of ICRIT 1: 200% of ICRIT <POR默认值>
	[7:6]	[7:6]	VSYS comparator threshold	在SRP上以固定的20us去毛刺时间进行测量。SRP电压低于阈值时触发。 00: 5.75 V (2-4s) or 2.85 V (1s) 01: 6V (2-4s) or 3.1V (1s) <POR默认值> 10: 6.25 V (2-4s) or 3.3 5V (1s) 11: 6.5 V (2-4s) or 3.6 V (1s)
	[5]	[5]	$\overline{PROCHOT}$ Pulse Extension Enable	当脉冲扩展被启用时，保持 $\overline{PROCHOT}$ 引脚电压低，直到主机写入0x3C[2]=1。 0: 脉冲宽度由REG0x3C[4:3]<POR的默认值> 1: 在主机将REG0x3C[2]设置为0之前，脉冲保持低。
	[4:3]	[4:3]	$\overline{PROCHOT}$ Pulse Width	REG0x3C[5]=0时的最小$\overline{PROCHOT}$脉冲宽度 00: 100 µs 01: 1 ms 10: 12 ms <POR默认值> 11: 6 ms
	[2]	[2]	$\overline{PROCHOT}$ Host Clear	当REG0x3C[5]=1时，清除 $\overline{PROCHOT}$ 脉冲。 0: 清除$\overline{PROCHOT}$ 脉冲，并将驱动器$\overline{PROCHOT}$ 引脚设置为高电平。 1: 不修改<POR默认值>
	[1]	[1]	INOM Comparator Deglitch Time	在0x3FH中，INOM始终比IDPM高10%。测量ACP和ACN之间的电流。电流高于此阈值时触发。 0: 1ms max <POR默认值> 1: 50 ms max
	[0]	[0]	Reserved	保留 0

ProchotOption1 Register

IIC(07)	IIC(06)	BIT	BIT NAME	DESCRIPTION
[7:2]		[15:10]	IDCHG Comparator Threshold	6位，量程，量程0A–32256毫安，步进512毫安。测量SRN和SRP之间的电流。当放电电流高于阈值时触发。 Default: 16384 mA (100000)
[1:0]		[9:8]	IDCHG Comparator Deglitch Time	00: 00: 1.6 ms 01: 100 μs <POR默认值> 10: 6 ms or 3.3 5V (1s) 11: 12 ms
	[7]	[7]	Reserved	保留 0
	[6:0]	[6:0]	IBAT Output Select	当适配器存在时，/PROCHOT功能由以下位启用。卸下适配器后，$\overline{PROCHOT}$配置文件中的ICRIT、INOM、BATPRES和ACOK功能将自动禁用。比较器、IBAT和VSYS功能设置被保留。当所有位都为0时，$\overline{PROCHOT}$功能被禁用。 Bit6: Independent comparator, 0: disable <POR默认值>; 1: enable Bit5: ICRIT, 0: disable; 1: enable <POR默认值> Bit4: INOM, 0: disable <POR默认值>; 1: enable Bit3: IDCHG, 0: disable <POR默认值>; 1: enable Bit2: VSYS, 0: disable; 1: enable <POR默认值> Bit1: $\overline{BATPRES}$, 0: disable <POR默认值> ; 1: enable (单次上升沿触发) Bit0: ACOK, 0: disable <POR默认值> ; 1: enable (单次上升沿触发)

设置充电电流

要设置充电电流，请编写16位ChargeCurrent（）命令。bq2477x配有10mΩ感测电阻器，充电电流范围为128mA至8.128A，阶跃分辨率为64mA。建议在编程ChargeCurrent（）之前将电池电压写入MaxChargeVoltage（）。没有电池时，主机应向ChargeCurrent（）写入0A。
在预充电期间，充电电流被钳制在384mA。充电（）将终止发送。POR时，充电电流设置为0mA。

对于1s充电，当电池低于BATLOWV阈值时，充电电流被钳制在384 mA。当电池处于BATLOWV和SYSMIN之间时，充电电流钳制在2 A。当电池高于SYSMIN时，充电电流遵循寄存器设置。

要在bq24773中编程充电电流，主机必须先用REG0A编写2字节的命令，然后是REG0B。不能在两者之间插入其他命令。完成REG0A和REG0B后，充电电流将被更新。如果主机先写入REG0B，该命令将被忽略。如果写入REG0A和REG0B之间的时间超过看门狗定时器，REG0A命令将被忽略。

SRP和SRN引脚用于感应RSR上的压降，默认值为10mΩ。感测电阻越大，感测电压越大，调节精度越高；但是以更高的传导损耗为代价。建议电流感应电阻值不超过20mΩ。

建议在SRP和SRN之间使用0.1μF电容器进行差模滤波；SRN和接地之间有一个0.1μF电容器，SRP和接地之间有一个可选的0.1μF电容器，用于共模滤波。
同时，为了正确检测SRP和SRN之间的电压，SRP上的电容不应高于0.1μF。

Charge Current Register with 10mΩ Sense Resistor

IIC(0B)	IIC(0A)	BIT	BIT NAME	DESCRIPTION
	0	0		Not used. Value ignored.
	1	1		Not used. Value ignored.
	2	2		Not used. Value ignored.
	3	3		Not used. Value ignored.
	4	4		Not used. Value ignored.
	5	5		Not used. Value ignored.
	6	6	Charge Current, DACICHG 0	0 = Adds 0mA of charger current. 1 = Adds 64mA of charger current.
	7	7	Charge Current, DACICHG 1	0 = Adds 0mA of charger current. 1 = Adds 128mA of charger current.
0		8	Charge Current, DACICHG 2	0 = Adds 0mA of charger current. 1 = Adds 256mA of charger current.
1		9	Charge Current, DACICHG 3	0 = Adds 0mA of charger current. 1 = Adds 512mA of charger current.
2		10	Charge Current, DACICHG 4	0 = Adds 0mA of charger current. 1 = Adds 1024mA of charger current.
3		11	Charge Current, DACICHG 5	0 = Adds 0mA of charger current. 1 = Adds 2048mA of charger current.
4		12	Charge Current, DACICHG 6	0 = Adds 0mA of charger current. 1 = Adds 4096mA of charger current.
5		13		Not used. 1 = invalid write.
6		14		Not used. 1 = invalid write.
7		15		Not used. 1 = invalid write.

设置最大充电电压

要设置输出充电调节电压，请编写16位MaxChargeVoltage（）命令。bq2477x的充电电压范围为1.024V至19.200V，阶跃分辨率为16mV。在POR或充电被禁用时，系统调节为MaxChargeVoltage（）。

如果在不向MaxChargeVoltage（）写入任何命令的情况下启用充电，MaxChargeVoltage（）将自动更改为4.2V/单元。如果在不向MaxChargeVoltage（）写入任何命令的情况下禁用充电，MaxChargeVoltage（）会自动返回POR值。将有效值写入MaxChargeVoltage（）后，寄存器不会自动在充电启用和禁用之间切换。

BAT引脚用于感应电池电压进行电压调节，应尽可能靠近电池组正极侧连接。建议使用0.1μF的去耦电容器，尽可能靠近IC，以去耦高频噪声。

要在bq24773中编程充电电压，主机必须先用REG0C写入2字节命令，然后是REG0D。不能在两者之间插入其他命令。在完成REG0C和REG0D后，充电电压将被更新。如果主机先写入REG0D，该命令将被忽略。如果写入REG0C和REG0D之间的时间超过看门狗定时器，REG0C命令将被忽略。

Max Charge Voltage Register

IIC(0D)	IIC(0C)	BIT	BIT NAME	DESCRIPTION
	0	0		Not used. Value ignored.
	1	1		Not used. Value ignored.
	2	2		Not used. Value ignored.
	3	3		Not used. Value ignored.
	4	4	Charge Voltage, DACV 0	0 = Adds 0mV of charger voltage. 1 = Adds 16mV of charger voltage.
	5	5	Charge Voltage, DACV 1	0 = Adds 0mV of charger voltage. 1 = Adds 32mV of charger voltage.
	6	6	Charge Voltage, DACV 2	0 = Adds 0mV of charger voltage. 1 = Adds 64mV of charger voltage.
	7	7	Charge Voltage, DACV 3	0 = Adds 0mV of charger voltage. 1 = Adds 128mV of charger voltage.
0		8	Charge Voltage, DACV 4	0 = Adds 0mV of charger voltage. 1 = Adds 256mV of charger voltage.
1		9	Charge Voltage, DACV 5	0 = Adds 0mV of charger voltage. 1 = Adds 512mV of charger voltage.
2		10	Charge Voltage, DACV 6	0 = Adds 0mV of charger voltage. 1 = Adds 1024mV of charger voltage.
3		11	Charge Voltage, DACV 7	0 = Adds 0mV of charger voltage. 1 = Adds 2048mV of charger voltage.
4		12	Charge Voltage, DACV 8	0 = Adds 0mV of charger voltage. 1 = Adds 4096mV of charger voltage.
5		13	Charge Voltage, DACV 9	0 = Adds 0mV of charger voltage. 1 = Adds 8192mV of charger voltage.
6		14	Charge Voltage, DACV 10	0 = Adds 0mV of charger voltage. 1 = Adds 16384mV of charger voltage.
7		15		Not used. 1 = invalid write.

设置最小充电电压

该设备采用窄VDC架构（NVDC），带有BATFET，将系统与电池分离。当启用充电且电池低于MinSystemVoltage（）时，系统将以最低系统电压设置进行调节。当充电被禁用时，系统被调节为MaxChargeVoltage（）。

要设置最小系统电压，请编写16位MinSystemVoltage（）命令。bq2477x提供从1.024V到19.200V的最小系统电压范围，分辨率为256mV。

Minimum System Voltage Register

	IIC(0E)	BIT	BIT NAME	DESCRIPTION
		0		Not used. Value ignored.
		1		Not used. Value ignored.
		2		Not used. Value ignored.
		3		Not used. Value ignored.
		4		Not used. Value ignored.
		5		Not used. Value ignored.
		6		Not used. Value ignored.
		7		Not used. Value ignored.
	0	8	Minimum System Voltage, DACMINSV 0	0 = Adds 0mV of system Voltage. 1 = Adds 256mV of system Voltage.
	1	9	Minimum System Voltage, DACMINSV 1	0 = Adds 0mV of system Voltage. 1 = Adds 512mV of system Voltage.
	2	10	Minimum System Voltage, DACMINSV 2	0 = Adds 0mV of system Voltage. 1 = Adds 1024mV of system Voltage.
	3	11	Minimum System Voltage, DACMINSV 3	0 = Adds 0mV of system Voltage. 1 = Adds 2048mV of system Voltage.
	4	12	Minimum System Voltage, DACMINSV 4	0 = Adds 0mV of system Voltage. 1 = Adds 4096mV of system Voltage.
	5	13	Minimum System Voltage, DACMINSV 5	0 = Adds 0mV of system Voltage. 1 = Adds 8192mV of system Voltage.
	6	14		Not used. 1 = invalid write.
	7	15		Not used. 1 = invalid write.

Default MaxChargeVoltage and System Voltage

NUMBER of CELLs	MaxChargeVoltage() (Charge Enable)	MaxChargeVoltage() (Charge Disable)	MinSystemVoltage()
1S (CELL=GND)	4.192V	4.400V	3.584V
2S (CELL=FLOAT)	8.400V	9.008V	6.144V
3S/4S (CELL=High)	12.592V	13.500V	9.216V

设置输入电流

通常，输入电源为系统供电并为电池充电。使用交流墙壁适配器，可以调节输出电流，以节省系统成本。

要设置输入电流限制，请编写一个16位的InputCurrent（）命令。当使用10mΩ感测电阻器时，bq2477x提供128mA至8.128A的输入电流限制范围，分辨率为64mA。在POR时，默认输入电流限制为3.2A（770）或2.944A（773）。

ACP和ACN引脚用于感应R（AC），默认值为10mΩ。然而，也可以使用其他值的电阻器。感测电阻越大，感测电压越大，调节精度越高；但是，以更高的传导损耗为代价。

Input Current Register using 10mΩ sense resistor

	IIC(0F)	BIT	BIT NAME	DESCRIPTION
		0		Not used. Value ignored.
		1		Not used. Value ignored.
		2		Not used. Value ignored.
		3		Not used. Value ignored.
		4		Not used. Value ignored.
		5		Not used. Value ignored.
	0	6	Input Current, DACIIN 0	0 = Adds 0mA of input current. 1 = Adds 64mA of input current.
	1	7	Input Current, DACIIN 1	0 = Adds 0mA of input current. 1 = Adds 128mA of input current.
	2	8	Input Current, DACIIN 2	0 = Adds 0mA of input current. 1 = Adds 256mA of input current.
	3	9	Input Current, DACIIN 3	0 = Adds 0mA of input current. 1 = Adds 512mA of input current.
	4	10	Input Current, DACIIN 4	0 = Adds 0mA of input current. 1 = Adds 1024mA of input current.
	5	11	Input Current, DACIIN 5	0 = Adds 0mA of input current. 1 = Adds 2048mA of input current.
	6	12	Input Current, DACIIN 6	0 = Adds 0mA of input current. 1 = Adds 4096mA of input current.
	7	13		Not used. 1 = invalid write.
		14		Not used. 1 = invalid write.
		15		Not used. 1 = invalid write.

官方手册下载

https://www.ti.com.cn/product/zh-cn/BQ24773