提示：文章写完后，目录可以自动生成，如何生成可参考右边的帮助文档文章目录输入失调电压的概念如何减小运放的输入失调？总结输入失调电压的概念输入失调电压：严格的定义就是在理想情况下，两个输入端的输入电压相同时，输出电压应该也为0。但是实际情况下，即使两端输入电压相同，放大电路仍然会有一个很小的输出。所以为了运放的输入端电压差为0，使得输出为0，必须在输入端加上一个小小的电压，即输入失调电压。举个例子，电子秤在没有任何称重物体的情况下，仍然有小重量显示，这就是由失调引起的。如何减小运放的输入失调？由上述运放得出，由于阈值电压、几何尺寸和负载电阻失配引起的输入失调电压，可以表示为：我们可以定义阈值电压
从零开始的UART协议设计一、写在前面1.1协议标准1.2数字IC组件代码二、设计要求三、模块划分四、全局参数五、整体结构六、波特率生成器6.1设计文件6.2仿真文件6.3仿真结果七、发送模块7.1发射模块状态机跳变7.2设计文件7.3仿真文件7.4仿真结果八、接收模块8.1接收模块状态机跳变8.2设计文件8.3仿真文件8.4仿真结果九、TOP模块9.1设计文件9.2仿真文件9.3仿真结果十、本设计与工业级UART的差距十一、其他数字IC基础协议解读11.1UART协议11.2SPI协议11.3I2C协议11.4AXI协议一、写在前面上一节中，我们详细讨论了UART的协议内容并从设计组件的角度
芯片设计验证社区·芯片爱好者聚集地·硬件相关讨论社区·数字verifier星球四社区联合力荐！近500篇数字IC精品文章收录！【数字IC精品文章收录】学习路线·基础知识·总线·脚本语言·芯片求职·EDA工具·低功耗设计Verilog·STA·设计·验证·FPGA·架构·AMBA·书籍Verilog奇数分频一、前言二、奇数分频电路题目三、奇数分频电路原理3.1不需要满足50%占空比的分频电路3.2需要满足50%占空比的分频电路四、非50%占空比的三分频电路4.1RTL设计4.2Testbench4.3仿真波形五、50%占空比的奇数分频电路（以三分频为例）5.1RTL设计5.2Testbench5
门级仿真（Gate-Levelsimulation）概述门级仿真与RTL仿真区别：1.RTL行为级仿真：2.门级仿真：3.时序仿真（后仿真）门级仿真模式：1.零延迟(ZeroDelaySimulation)2.单元延迟(UnitDelaySimulation)3.完整时序(SDFSimulation)为什么仍然需要门级仿真？门级仿真也称为后仿真，是数字IC设计流程中的一个重要步骤。RTL生成之后，会插入DFT，生成post_DFT的网表netlist；插入CPF/UPF描述的低功耗信息，生成post_ISO的网表netlist；之后插入时钟树（clocktree）和电源开关，生成最终的post
很多人在去IC设计公司面试之前不知道该怎么准备，因为没有参加过面试，所以就感觉非常慌张。那么面试前该做哪些准备？怎样才能把个人能力表现出来？相信很多同学都有着这样的疑问。首先来了解一下数字IC设计流程**1.需求分析(制定规格书)。**分析用户或市场的需求，并将其翻译成对芯片产品的技术需求。2.算法设计。设计和优化芯片钟所使用的算法。这一阶段一般使用高级编程语言（如C/C++），利用算法级建模和仿真工具（如MATLAB，SPW）进行浮点和定点的仿真，进而对算法进行评估和优化。**2.构架设计。**根据设计的功能需求和算法分析的结果，设计芯片的构架，并对不同的方案进行比较，选择性能价格最优的方案
CMOS中的latch-up闩锁效应、添加tap解决latch-up、使用combainedarea绘制TAPTAP的作用IC后端版图【VLSI】一、latch-up、Tap1.CMOS基础认知：N-Well和P-Substrate在CMOS里的位置2.latch-upissueLatch-up三种解决方案Prevention3.添加tapcells解决latch-up问题3.TAP的基础概念n-welltap&p-substratetap的工艺规则排列的个数二、画版图layout时的TAP1.Magicn-welltapp-substratetapcombainedarea分层画法的解释：c
目录1.简述latch与FF的区别，并用verilog分别实现1bitlatch与DFF。2.IC设计中reset的设计通常有同步reset和异步reset两种方式。3.阐述“时钟抖动”的基本概念，可能产生的原因？在数字逻辑设计中对setuptime和holdtime的影响是什么？4.阐述一下meta-stability的概念及在设计中如何防止。5.给定一个时钟信号clk，设计一个占空比为50%的三分频时钟clk_div3,用Verilog写出这个设计。6.设计一个顶层模块，顶层模块实现一个双口SRAM，一个口只读，一个口只写。试用Verilog写出这个顶层模块的实现。7.根据自己的理解列出经
专栏推荐：2023数字IC设计秋招复盘——数十家公司笔试题、面试实录专栏首页：2023数字IC设计秋招复盘——数十家公司笔试题、面试实录专栏内容：笔试复盘篇2023秋招过程中整理的笔试题，来源包括我自己求职笔试以及整理其他同学的笔试。包含华为、中兴、联发科、AMD、大疆、紫光展锐、荣耀、小米、复旦微、星宸、燧原、泰凌微、思特微、瑞芯微、诺瓦、芯合、芯动、芯原、曦华等等公司。面试复盘篇2023秋招过程中自己的面试，主要包括面试全程的问题与我的回答，以及后期自我点评等。包括华为、中兴、小米、zeku、联发科、星宸、禾赛、加特兰、速腾聚创、地平线、芯原等公司。准备工作篇包括求职过程中使用到的资料推荐
一.MCP4725简单总结为下面几个特点。1路DAC输出12位分辨率I2C接口（标准，快速，高速支持）供电电压2.7-5.5内部EEPROM存储设置I2C地址可配置（A0）（A1、A2内置，默认为‘00’）二.硬件设计MCP4725的管脚定义如图所示，比较简单官方的电路图如下一般上拉电阻选择10K就可以了，后级的比较器看项目需要，可以更换为同相放大器。三.软件设计MCP4725的输出电压由下面的公式计算得出可以理解为VDD除以4096份，我们想要输出相对应的电压只要计算好相对应的份数就可以了。MCP4725采用I2C接口。写命令如图MCP4725带一个EEPROM，可以存储上一次输出的电压指令
CMOSPROCESSFLOW简化版总结CMOS制造工艺流程IC后端版图【VLSI】FabricationFacility前言CMOSPROCESSFLOW（CMOS制造工艺流程【全】）ReferenceFabricationFacility前言FabricationFacility：主要包括这些工序：Fabricationsiliconwafer，也就是从砂中提纯单晶硅造wafer，现在主流wafer大小是200mm和300mm。Waferprocessing，就是在wafer上制作芯片。建议可以先看这个视频了解一些形象化的概念：Howaremicrochipsmade?Fabricatio
