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数字 IC 设计、FPGA 设计秋招笔试题目、答案、解析(3)2022 大疆创新数字芯片 B 卷

引言        最近收到诸多粉丝的来信,要求出一版《数字IC设计、FPGA设计秋招笔试题精讲》,于是,通过几天几夜的加班加点,终于出了这一版《2022大疆创新秋招笔试题目、答案、解析》,以后每隔7天就会出好几套卷,助各位数字IC设计者斩获大厂的高薪Offer!!!    PS:纯题目的PDF版本可联系博主获取~1、下列关于MBIST测试描述正确的一个是:(  )A.MBIST 测试实现没有面积开销B.MBIST 测试频率和mem工作频率不一致C.memrepair 可以提高良率D.MBIST 测试对mem性能没有影响正确答案:C新芯设计:这是和DFT相关的题目,对于未入职的芯片设计者来说是

小白指路-从安装Centos7(Linux)、IC618、SPECTRE18、Calibre2019到CMOS反相器仿真之(三)软件安装

软件安装部分难度极大,可能遇到各种教程以外的问题。注意:安装软件建议安装路径、文件夹名称与位置等等完全按照教程来,因为软件启动依托环境变量文件(.cshrc文件),环境变量文件内部的路径、文件夹名称等等与教程完全匹配。如不按照教程安装路径、改写文件夹名称等等,可能会出现各种软件启动问题(本人已尝试)。准备工作:电脑上安装好VMware软件和centos7。准备好IC618、SPECTRE18、Calibre2019安装包以及patch工具。虚拟机需被分配最好80GB以上的存储空间,软件全部安装后所占空间至少在60GB以上。前情提要:库文件安装。Linux虚拟机安装完成后,有不少的库文件需要自己

【从零开始のIC学习笔记】-跨时钟域处理

前言:两个不同时钟域需要进行跨时钟同步处理,不同情况下的处理方式不同,可分为慢时钟域到快时钟域:     单比特    多比特快时钟域到慢时钟域:    单比特    多比特多bit的跨时钟域处理,无论是快时钟域到慢时钟域,还是慢时钟域到快时钟域,都可采用异步FIFO的方式:异步FIFO 本文主要介绍单bit的跨时钟域方法无论两个时钟域情况如何,再确保能够采样到数据的情况下,从A时钟域到B时钟域的信号都需要首先消除亚稳态,最后将A时钟域一个周期的信号恢复至B时钟域一个周期消除亚稳态    消除亚稳态通常的做法是”打两拍“-两级同步,根据工程经验,打两拍后,能够消除99%以上的亚稳态实现代码如下

Cadence IC617 工艺库安装

Windows与虚拟机互传文件(共享文件夹)打开虚拟机—>编辑虚拟机设置—>选项—>共享文件夹—>关闭禁用—>添加—>Windows系统中文件夹位置:G:\VMshareLinux系统文件夹位置:Computer—>Filesystem—>mnt—>hgfs添加工艺库新建文件夹Analog,将工艺库复制进Analog找到cds.lib(在Cadence的某个文件夹中,别加错),同样复制进Analog。目的是将analoglib工艺库加到Analog中Virtuoso—>Tools—>LibraryPathEditor—>Edit—>AddLibraryDirectory中选择要添加的工艺库,L

2023年上半年CISA披露的670个ICS漏洞分析

据工业资产和网络监控公司SynSaber称,美国网络安全和基础设施安全局(CISA)在2023年上半年披露了670个影响工业控制系统(ICS)和其他运营技术(OT)产品的漏洞。SynSaber与ICSAdvisoryProject合作进行的分析显示,CISA在2023年上半年发布了185条ICS通报,低于2022年上半年的205条。上半年这些通报中涵盖的漏洞数量下降了1.6%2023年与2022年上半年相比。 超过40%的缺陷影响软件,26%影响固件。OEM继续报告大多数此类漏洞(超过50%),其次是安全供应商(28%)和独立研究人员(9%)。 关键制造业和能源是最有可能受到2023年上半年报

晶体管的 栅极gate 材料选用 多晶硅polysilicon,并采用 自对准工艺 self-aligned IC后端版图 【VLSI】

晶体管的栅极gate材料选用多晶硅polysilicon,并采用自对准工艺self-alignedIC后端版图【VLSI】基础:MOS管通过栅极上所加的电压控制漏极与源极之间电流晶体管的栅极材料选用多晶硅,并采用自对准工艺栅极的材料为什么选用多晶硅(polysilicon)?历史:早期的非对准工艺造成的问题解决方法:多晶硅(polysilicon)用作栅极(gate)、自对准工艺的解释解释一下什么是晶体管里栅极的自对准工艺。Explainthetermsself-alignedasitappliestothegateofthistransistor.Whymakethegatefirstbef

晶体管的 栅极gate 材料选用 多晶硅polysilicon,并采用 自对准工艺 self-aligned IC后端版图 【VLSI】

晶体管的栅极gate材料选用多晶硅polysilicon,并采用自对准工艺self-alignedIC后端版图【VLSI】基础:MOS管通过栅极上所加的电压控制漏极与源极之间电流晶体管的栅极材料选用多晶硅,并采用自对准工艺栅极的材料为什么选用多晶硅(polysilicon)?历史:早期的非对准工艺造成的问题解决方法:多晶硅(polysilicon)用作栅极(gate)、自对准工艺的解释解释一下什么是晶体管里栅极的自对准工艺。Explainthetermsself-alignedasitappliestothegateofthistransistor.Whymakethegatefirstbef

ASIC-WORLD Verilog(5)基础语法下篇

写在前面        在自己准备写一些简单的verilog教程之前,参考了许多资料----asic-world网站的这套verilog教程即是其一。这套教程写得极好,奈何没有中文,在下只好斗胆翻译过来(加了自己的理解)分享给大家。    这是网站原文:http://asic-world.com/verilog/veritut.html        这是系列导航:Verilog教程系列文章导航模块(Modules)模块是verilog设计的基本组成形式你可以在模块中调用别的模块来实现层次化设计                在下面的图片中可以看到:顶层模块分别由左、右上、右下三个子模块构成左

ASIC-WORLD Verilog(5)基础语法下篇

写在前面        在自己准备写一些简单的verilog教程之前,参考了许多资料----asic-world网站的这套verilog教程即是其一。这套教程写得极好,奈何没有中文,在下只好斗胆翻译过来(加了自己的理解)分享给大家。    这是网站原文:http://asic-world.com/verilog/veritut.html        这是系列导航:Verilog教程系列文章导航模块(Modules)模块是verilog设计的基本组成形式你可以在模块中调用别的模块来实现层次化设计                在下面的图片中可以看到:顶层模块分别由左、右上、右下三个子模块构成左

数字IC经典电路(1)——经典加法器的实现(加法器简介及Verilog实现)

加法器简介及Verilog实现写在前面的话经典加法器8bit并行加法器8bit超前进位加法器8bit流水线加法器8bit级联加法器总结写在前面的话加法器是数字系统最基础的计算单元,用来产生两个数的和,加法器是以二进制作运算。负数可用二的补数来表示,减法器也是加法器,乘法器可以由加法器和移位器实现。加法器和乘法器由于会频繁使用,因此加法器的速度也影响着整个系统的计算速度。对加法器的设计也一直在更新迭代,反观数字IC初学者,往往只是了解个全加器和半加器,而对一些经典的加法器类型和实现方式却很少了解。经典加法器8bit并行加法器并行加法器就是利用多个全加器实现两个操作数各位同时相加。并行加法器中全加