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贴片电阻的读数方法

贴片电阻图今天讲一下贴片电阻的阻值、精度与贴片电阻丝印之间细微的关系。大家经常见到的贴片电阻上的丝印有纯数字、数字与R组合、数字与除R之外的字母组合的,但大家知不知道这样的标注与贴片电阻的i精度相关?同一个阻值因为精度不同,标注也会不同。例如封装为0805的贴片电阻,丝印473和4702都是阻值为47K,但两者的精度的确是不同的,前者通常是±2%、±5%,后者通常是±0.1%、±0.5%、±1%。下面我将把贴片电阻的封装和精度与贴片电阻上的数字对应起来讲解。贴片电阻图数字直标法:全为数字(1)3位数 前2位为有效数字,第3位是倍乘。贴片电阻封装:0603、0805、1206、1210、1812

贴片电阻的读数方法

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弯道超车 日本芯片工艺从45nm直接跃升到2nm:靠什么?

40多年前日本的半导体世界第一,让美国公司也喘不过气来,然而被打压之后日本的优势逐渐消失,现在主要是在部分半导体设备及材料领域有优势,先进工艺上已经落后。日本现在依然有多家半导体巨头,比如索尼、铠侠、瑞萨、软银(收购ARM),但是先进工艺已经断档,2010年左右发展到了65nm,后面能少量生产45nm,28nm及之后便的工艺就要依赖台积电等公司代工了。尽管工艺已经落后,但日本复兴半导体的野心却很庞大,索尼、丰田、铠侠、三菱、软银等8家公司联合出资成立了Rapidus公司,计划直接搞定2nm工艺,最快在2025年量产,2025到2030年的几年中则会给其他企业提供代工服务。从45nm工艺直接跃升

弯道超车 日本芯片工艺从45nm直接跃升到2nm:靠什么?

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DDR介绍及设计要求详解1

DDR介绍及设计要求详解DDR类别和参数介绍DDR采用TSSOP封装技术,而DDR2和DDR3内存均采用FBGA封装技术。TSSOP封装的外形尺寸较大,呈长方形,其优点是成本低、工艺要求不高,缺点是传导效果差,容易受干扰,散热不理想,而FBGA内存颗粒精致小巧,体积大约只有DDR内存颗粒的三分之一,有效地缩短信号传输距离,在抗干扰、散热等方面更有优势,而DDR4采用3DS(3-DimensionalStack)三维堆叠技术来增大单颗芯片容量,封装外形则与DDR2、DDR3差别不大。在我们的设计用到的内存颗粒有SRAM、DRAM、EEPROM、Flash等,其中DDR系列用的是最多的,其DDR-

DDR介绍及设计要求详解1

DDR介绍及设计要求详解DDR类别和参数介绍DDR采用TSSOP封装技术,而DDR2和DDR3内存均采用FBGA封装技术。TSSOP封装的外形尺寸较大,呈长方形,其优点是成本低、工艺要求不高,缺点是传导效果差,容易受干扰,散热不理想,而FBGA内存颗粒精致小巧,体积大约只有DDR内存颗粒的三分之一,有效地缩短信号传输距离,在抗干扰、散热等方面更有优势,而DDR4采用3DS(3-DimensionalStack)三维堆叠技术来增大单颗芯片容量,封装外形则与DDR2、DDR3差别不大。在我们的设计用到的内存颗粒有SRAM、DRAM、EEPROM、Flash等,其中DDR系列用的是最多的,其DDR-

Altium Designer画PCB详细教程

写在开头第一次画PCB,从头到尾跟着视频走了一遍,画了最基础的两层板,发此文记录一下学习心得工作环境操作系统:Win11软件:AltiumDesigner22.0.2AD画PCB步骤创建工程,新建.PrjPcb文件导入封装库/绘制封装库新建.SchDoc文件,画原理图新建.PcbDoc文件,画PCB,窗口右键选择“窗口分割”,方便和原理图进行对照根据原理图和就近原则等约束进行合理的布局,放置元器件根据各种布线规则进行布线(主要针对信号线)布线完成后添加滴泪,详见滴泪操作设置合适的PCB板框在PCB的四个角放置螺丝孔,一般设置3.1mm的孔径,5mm的外径最后铺铜,处理电源线和GND进行DRC检

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TB6600步进电机驱动(包含原理图以及PCB,打样测试可用,性能良好)

一、TB6600步进电机驱动芯片介绍TB6600数据手册写的驱动电流可以达到5A,有五种细分方式(1,1/2,1/4,1/8,1/16)注意当M1=M2=M3=1(均为高电平)或M1=M2=M3=0(均为低电平)时都没有输出,其他情况正常。二、驱动电路原理图1、原理图原理图中主要有光电隔离电路(主要和上一级的控制电路进行隔离),5V电源模块电路(提供5V电源),闲时自动半流电路(在电机不工作时减小输出电流),电机放电回路(给电机放电),参考电压调整电路(调整输出电流)等。二、方向信号(DIR)和使能信号(EN)的光耦隔离470欧电阻用于限流,D9、D10使用的是1N4148二极管,用于防止正负

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一、TB6600步进电机驱动芯片介绍TB6600数据手册写的驱动电流可以达到5A,有五种细分方式(1,1/2,1/4,1/8,1/16)注意当M1=M2=M3=1(均为高电平)或M1=M2=M3=0(均为低电平)时都没有输出,其他情况正常。二、驱动电路原理图1、原理图原理图中主要有光电隔离电路(主要和上一级的控制电路进行隔离),5V电源模块电路(提供5V电源),闲时自动半流电路(在电机不工作时减小输出电流),电机放电回路(给电机放电),参考电压调整电路(调整输出电流)等。二、方向信号(DIR)和使能信号(EN)的光耦隔离470欧电阻用于限流,D9、D10使用的是1N4148二极管,用于防止正负