MOS晶体管I-V特性曲线仿真目标：使用cadence绘制晶体管的I-V特性曲线(dc仿真)流程：新建原理图，将MOS管的栅极电压设为变量Vg，漏极电压设为变量Vd打开ADEL，点击Variables——CopyFromCellview添加变量；并选择dc仿真，对Vd进行扫描以Vg作为参变量进行仿真，点击Tools——ParametricAnalysis进行设置选择漏极电流作为输出，进行仿真即可得到I-V特性曲线仿真绘制MOS管的输入特性曲线将Vd值设为1.2V，在dc仿真设置里，把变量改为Vg点击运行按钮即可得到输入特性曲线，即输出电流Id随输入电压Vg的变化曲线观察MOS晶体管参数点击Rs

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这段时间一直忙着工作项目的事情，今天终于抽出时间，分享一下紫光同创DDR3IP的仿真经验~目录1搭建仿真环境1.1编写激励文件1.2自动化仿真2DDR3写操作仿真3DDR3读操作仿真1搭建仿真环境1.1编写激励文件    仿真激励文件需要包含以下四个部分：（1）时钟定义        DDR3IP需要一个50MHz的参考时钟，这个时钟频率与前面DDR3IP配置阶段的设定值是一致的。如果系统PLL的输入时钟频率也是50MHz，那么这两个时钟可以是同一个。（2） 顶层实体    顶层实体其实就是你设计的顶层模块，没什么特殊的。（3）DDR3仿真模型        DDR3仿真模型存放在IP核的ex

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我的Android模拟器运行正常，但每次启动时都会显示此错误模拟器。StartingemulatorforAVDAVD_for_Nexus_4emulator:FailedtoopentheHAXdevice!HAXisnotworkingandemulatorrunsinemulationmodeemulator:OpenHAXdevicefailedemulator:emulatorwindowwasoutofviewandwasrecentered我不明白确切的问题是什么。 最佳答案 我认为您正在尝试运行基于x86的模拟器。当

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前言本文主要介绍了QuartusII9.1web免安装版的一个入门使用案例和常见问题的解决方法。使用步骤一：创建工程和bdf文件首先打开QuartusII，选择File->New 然后在New界面下选择BlockDiagram/SchematicFile，这时会出现一张空白原理图。 选择左侧的symboltool,然后按照下图框中的路径找到not（非门），点击ok放置到原理图中，本文以简单的非门为例。  摆放完非门后加入输入管脚和输出管脚，还是在刚才symboltool下找到pin文件夹选择input_pin和output_pin。 点击ok进行摆放得到下图将光标移动至管脚附近待光标呈下方形状