以Razavi的带隙基准章节为例。右图中，M1和M2为NMOS，M3和M4为PMOS。其中两个NMOS宽长比相同。Rs的作用是确定电流。
图1. 带隙基准电路1
基于公式3：
将公式4左右同时除以（不等于0），此时认为M4和M3的阈值电压相等，可以消掉|Vtp|。M3的宽长比是M4的N倍，并且认为Iref与Iout相等。可以推导出
K =2
Rs = 2k
W/L = 1um/40nm
可通过工艺库或者仿真得出
本文以beta0作为的值，
利用python进行计算：
from sympy import *
i_out = symbols('i_out')
k = 2
Rs = 2000
um = 10^(-6)
nm = 10^(-9)
w_to_l = 1*um/(40*nm)
mu_p_cox = symbols('mu_p_cox')
mu_p_cox_value = 17.64
print(solve( ( (2/(mu_p_cox*w_to_l)) * (1/Rs**2) * (1 - 1/sqrt(k))**2 )/i_out -1, i_out))
print(solve( ( (2/(mu_p_cox_value*w_to_l)) * (1/Rs**2) * (1 - 1/sqrt(k))**2 )/i_out -1, i_out))
仿真电路图：
波形横坐标为温度，发现温度越高，电流越大。
四、其他仿真结果
1. 宽长比不变，同时增大L和W的长度，设为2um/80nm。发现电流增大了
2. 将GD相连放在同一侧而非两侧
电流下降
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